杭州镓仁半导体有限公司（下称“镓仁半导体”）今年 6 月宣布，基于自研铸造法单晶生长与 MOCVD 外延工艺，建成全球首条 6/8 英寸氧化镓同质外延量产线，向头部芯片客户批量供货。 在长晶环节，镓仁半导体依靠全球独创的铸造法长晶技术，稳定生长出超厚氧化镓晶体。结合公司超薄衬底加... （来源：新闻频道）
镓仁半导体氧化镓 2026-7-6 13:03
昨日，杭州镓仁半导体全球首条兼容 6/8 英寸氧化镓同质外延量产线正式全面投产，首批标准化 6 英寸（100）面氧化镓同质外延晶圆同步交付国内头部晶圆厂开展器件试样验证，标志我国第四代超宽禁带半导体材料实现规模化量产重大突破。 在此之前，全球氧化镓产业长期受限于 2-4 英寸小尺寸产能瓶颈，海... （来源：新闻频道）
氧化镓 2026-7-6 10:02
据“三安光电”微信公众号6月2日消息，三安光电联合西安电子科技大学宽禁带半导体国家工程研究中心、杭州镓仁半导体有限公司，在第四代半导体材料氧化镓（Ga₂O₃）的同质外延技术上取得关键突破，为氧化镓在高压功率电子领域的产业化扫清了一项核心障碍。 氧化镓因其超宽禁... （来源：新闻频道）
三安光电西电氧化镓 2026-6-3 09:02
今年2月，杭州镓仁半导体有限公司联合浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院、硅及先进半导体材料全国重点实验室，采用自主开创的铸造法成功制备了高质量6英寸非故意掺杂及导电型氧化镓(β-Ga2O3)单晶，并加工获得了6英寸氧化镓衬底片，成为国内首个掌握6英寸氧化镓单晶衬底制备技术的产业化公司。氧... （来源：新闻频道）
氧化镓单晶 2024-3-25 14:52
加速研究开发性能卓越的功率半导体为实现低碳社会做出贡献三菱电机集团近日（2023年7月28日）宣布，已投资日本氧化镓晶圆开发和销售企业Novel Crystal Technology，今后将加快研究开发高性能低损耗氧化镓功率半导体，为实现低碳社会做出贡献。Novel Crystal Technology是世界上最早开发、制造和销售功率... （来源：新闻频道）
三菱电机氧化镓 2023-8-3 15:44
近日，从顺义科创集团获悉，入驻企业北京铭镓半导体有限公司实现4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破，成为国内首批掌握第四代半导体4英寸氧化镓单晶衬底生长技术公司之一。 铭镓半导体工作人员在做相关试验。 北京铭镓半导体有限公司创始人、董事长陈政委向记者介绍，稳态氧化镓晶体为单斜结构，存在（100）... （来源：新闻频道）
铭镓半导体4英寸氧化镓晶圆衬底技术 2023-3-13 14:40
如今市面上许多智能手机、电脑充电器均采用了 GaN 氮化镓功率芯片，实现了高功率密度，大幅减小产品体积。根据日经中文网消息，日本企业 Novel Crystal Technology 近日成功量产新一代功率半导体材料“氧化镓”制成的 100mm 晶圆。 这家公司由电子零部件企业田村制作所和 AGC 出资成立，该产品将在... （来源：新闻频道）
日本100 毫米氧化镓晶圆 2021-6-17 09:25
搜索到7条【氧化镓】相关的新闻。
搜索到7条【氧化镓】相关的新闻。
查看关键词的分类频道
