据 SK 海力士当地时间昨日提交的披露文件,该公司董事会同日批准了对位于韩国忠清北道清州市的 HBM 先进封装后端晶圆厂 P&T7 的新一期 7 万亿韩元投资(注:详细数据为 70931 亿韩元,汇率约合 324.72 亿元人民币)。 参考韩媒 THE ELEC 报道,SK 海力士表示 P&T7 项目总投资 19 万亿韩元的... (来源:新闻频道)
SK 海力士HBM 2026-7-23 10:39
韩国媒体《中央日报》今日早些时候报道称,SK 海力士正在与英特尔就收购后者位于美国俄亥俄州的新建晶圆厂进行谈判,计划未来在美国实现存储芯片前端制造。 不过,SK 海力士随后通过发言人回应称,公司“没有收购计划”,否认了相关报道内容。英特尔方面也表示,公司不会对媒体关于未来商... (来源:新闻频道)
SK 海力士英特尔 2026-7-22 10:34
据《朝鲜日报》等韩国媒体7月19日报道,存储芯片大厂SK海力士母公司——SK集团(SK Group)会长崔泰源近日公告对外警告,当前DRAM的价格过高,为了长远利益着想,“需增加供给来压抑价格”。但他同时也承认,AI对于内存的需求仍在暴涨,明年的供应短缺情况将进一步恶化。 崔泰源... (来源:新闻频道)
SK集团内存 2026-7-20 13:28
当地时间7月10日,韩国存储芯片大厂SK 海力士(SK Hynix)正式在美国纳斯达克挂牌上市。凭借在人工智能所需的高带宽(HBM)市场的领先地位,SK海力士上市首日表现亮眼,股价大涨13.3%,收于168.85美元/股。 SK海力士CEO郭鲁正(Kwak Noh-jung)当日在接受路透社采访时发出警告称,全球存储产业将在2... (来源:新闻频道)
SK海力士存储芯片 2026-7-13 09:46
近日,存储芯片大厂铠侠(Kioxia)与Sandisk宣布,它们的第十代产品BiCS10(第10代BiCS)3D NAND Flash在日本岩手县北上工厂的Fab2(K2)生产线正式投产。该产品主要面向数据中心等企业级储存应用,兼顾高密度与高性能,储存密度方面更有望超越三星最新的V10世代400层3D NAND。 据介绍,面向数据... (来源:新闻频道)
铠侠SandiskNAND 2026-7-8 15:44
据路透社报道,监管申报文件显示,韩国芯片厂商 SK 海力士将于周一启动规模约 280 亿美元(注:现汇率约合 1899.93 亿元人民币)的美国上市计划,借力全球人工智能热潮,开展全球规模最大的新股发行项目之一。 该企业将在纳斯达克通过存托凭证发行 1779 万股新股,此次上市将使其跻身全球估值最... (来源:新闻频道)
SK 海力士IPO 2026-7-6 11:17
SK 海力士 CEO 郭鲁正当地时间今日在韩国忠清南道牙山市公布了企业在忠清地区 100 万亿韩元投资计划的细节。 这 100 万亿韩元中将有 20 万亿韩元用于清州 P&T7 先进封装设施。这座占地面积 23 万平方米的大型后端工厂将专注于制造 HBM 等 AI 存储器产品,目标 2027 年底完工。 而剩余 80... (来源:新闻频道)
SK 海力士NAND 2026-7-2 13:16
随着人工智能时代的到来,各行各业对先进存储器解决方案的需求不断增长。目前,存储器半导体市场已面临巨大的供应压力,需求远超供应。 为应对市场变化,SK海力士制定了一项1100万亿韩元的中长期投资战略,涵盖龙仁、清州和西南地区。公司计划分阶段在龙仁投资600万亿韩元,在清州投资100万亿韩元,... (来源:新闻频道)
SK海力士 2026-6-29 17:02
当地时间2026年6月18日,英特尔公司宣布任命李锡熙(Seok-Hee Lee)为其Intel Foundry执行副总裁,直接向CEO陈立武(Lip-Bu Tan)汇报,负责先进封装、系统整合、后段技术开发与后段制造,强化公司在AI与高性能计算时代的系统级整合能力。 作为英特尔晶圆代工战略持续演进的一部分,英特尔公司正将先... (来源:新闻频道)
英特尔SK海力士先进封装 2026-6-22 09:05
6月18日,存储芯片大厂SK海力士宣布,凭借长期累积的HBM领先开发能力与量产经验,已成功向主要客户提供12层堆叠HBM4E样品。SK海力士表示,公司将与主要客户密切合作,确保产品能如期进入量产阶段。 SK海力士此次推出的新产品相较前一代HBM4,在性能与能效方面均有显著提升。HBM4E的引脚(Pin)传... (来源:新闻频道)
SK海力士HBM4E 2026-6-18 10:22