纳芯微高压半桥驱动NSD2622N：为E－mode GaN量身打造高可靠性、高集成度方案

纳芯微发布专为增强型GaN设计的高压半桥驱动芯片NSD2622N，该芯片集成正负压稳压电路，支持自举供电，具备高dv/dt抗扰能力和强驱动能力，可以显著简化GaN驱动电路设计，提升系统可靠性并降低系统成本。 应用背景 近年来，氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)凭借高开关频率、低开关损耗的显著优势... （来源：新品频道）

纳芯微NSD2622N 2025-6-5 12:43