具有 10.8 Mbit 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 存储单元阵列的原型 MCU 测试芯片（采用 22 nm 嵌入式 MRAM 工艺制造）声称可以实现超过 200 MHz 的随机读取访问频率和 10.4 MB 的写入吞吐量/s，结温为 125°C。瑞萨电子为这种嵌入式自旋转移矩 MRAM (STT-MRAM) 测试芯片开发了电路技术，并于 2 月 20 ... （来源：技术文章频道）
MCU 测试芯片MRAM 存储器 2024-3-1 10:17
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