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英特尔代工在VLSI研讨会上详解制程节点里程碑与未来技术创新

英特尔代工在VLSI研讨会上详解制程节点里程碑与未来技术创新

Intel 18A-P制程现已进入风险试产阶段，具备更高的性能、增强的热特性，并与Intel 18A在设计规则上兼容。 在2026年VLSI（超大规模集成电路）国际研讨会上，英特尔代工介绍了其制程路线图和未来技术创新方面的最新进展。Intel 18A-P作为Intel 18A系列的首个性能增强版本，现已进入风险试产阶段，符合... （来源：新闻频道）

英特尔VLSI 制程节点 技术创新 2026-6-17 15:36

英飞凌扩展750V CoolSiC™产品组合，推出顶部散热型H－DPAK半桥器件，进一步提升系统功率密度与可靠性

英飞凌扩展750V CoolSiC™产品组合，推出顶部散热型H－DPAK半桥器件，进一步提升系统功率密度与可靠性

汽车和工业应用中的功率转换架构正在快速演进，对开关拓扑、热管理和系统集成提出了新的要求。为满足这些要求，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出顶部散热封装系列新产品H-DPAK，搭载采用750V CoolSiC™ G2技术的集成半桥（HB）器... （来源：新品频道）

英飞凌CoolSiCH-DPAK半桥器件 2026-6-17 09:16

英飞凌推出业界首款基于CoolSiC™ G2技术的双向开关碳化硅

英飞凌推出业界首款基于CoolSiC™ G2技术的双向开关碳化硅

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出基于成熟可靠750V CoolSiC™ G2技术平台打造的碳化硅（SiC）双向开关（BDS）。该产品采用垂直集成双芯片共漏极设计，采用顶部散热Q-DPAK封装，将两个功率开关整合到同一器件中，既简化了系统设计... （来源：新品频道）

英飞凌CoolSiC双向开关碳化硅 2026-6-15 16:09

英飞凌扩展CoolSiC™ JFET产品组合，推出面向AI数据中心和工业级应用的常关型器件

英飞凌扩展CoolSiC™ JFET产品组合，推出面向AI数据中心和工业级应用的常关型器件

英飞凌科技股份公司正持续扩展其 CoolSiC™ JFET 产品组合，以满足AI 数据中心不断增长的需求，并积极响应电源保护技术向固态化发展的趋势。在此基础上，英飞凌为CoolSiC™ JFET 产品组合增添新的器件、封装选项和配置，旨在为高性能的供配电系统和用电保护系统提供支持。公司于去年推出... （来源：新品频道）

英飞凌CoolSiC JFET AI 数据中心 工业级 2026-6-9 13:25

英飞凌推出全新XHP™ 2 CoolSiC™高功率模块，显著提升高压能源系统的效率与功率密度

英飞凌推出全新XHP™ 2 CoolSiC™高功率模块，显著提升高压能源系统的效率与功率密度

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出采用2300V CoolSiC™ MOSFET的新型XHP™2功率模块产品，进一步扩展了该产品组合。该模块专为高压电力系统设计，最高支持1500V直流母线电压，契合行业向更高系统电压发展的趋势。该模块还提... （来源：新品频道）

英飞凌CoolSiC高功率 2026-5-21 09:12

英飞凌拓展 CoolSiC MOSFET 750 V G2系列，提供超低导通电阻和新型封装

英飞凌拓展 CoolSiC MOSFET 750 V G2系列，提供超低导通电阻和新型封装

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出全新封装的 CoolSiC™ MOSFET 750V G2系列，旨在为汽车和工业电源应用提供超高系统效率和功率密度。该系列现提供 Q-DPAK、D2PAK 等多种封装，产品组合覆盖在25°C情况下的典型... （来源：新品频道）

英飞凌CoolSiCMOSFET 2026-1-13 10:14

英飞凌推出采用TO－247PLUS－4回流焊封装的CoolSiC MOSFET 1400V G2系列，提升大功率应用中的功率密度

英飞凌推出采用TO－247PLUS－4回流焊封装的CoolSiC MOSFET 1400V G2系列，提升大功率应用中的功率密度

电动汽车充电、电池储能系统，以及商用、工程和农用车辆（CAV）等大功率应用场景，正推动市场对更高系统级功率密度与效率的需求，以满足日益提升的性能预期。同时，这些需求也带来了新的设计挑战，例如，如何在严苛环境条件下实现可靠运行、在应对瞬态过载时如何保持稳定性，以及如何优化整体系统性能。... （来源：新品频道）

英飞凌CoolSiC MOSFET 2025-10-20 10:14

英飞凌推出75 mΩ工业级CoolSiC 650 V G2系列MOSFET，适用于具备高功率密度需求的中功率应用场景

英飞凌推出75 mΩ工业级CoolSiC 650 V G2系列MOSFET，适用于具备高功率密度需求的中功率应用场景

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）宣布扩展其 CoolSiC™ 650 V G2 系列 MOSFET产品组合，新增 75 mΩ 规格型号，以满足市场对更紧凑、更高功率密度系统的需求。该系列器件提供多种封装选择，包括... （来源：新品频道）

英飞凌CoolSiCMOSFET 2025-9-23 09:23

英飞凌推出采用 Q－DPAK 封装的CoolSiC MOSFET 1200 V G2，将工业应用功率密度提升至新高度

英飞凌推出采用 Q－DPAK 封装的CoolSiC MOSFET 1200 V G2，将工业应用功率密度提升至新高度

英飞凌推出采用 Q-DPAK 封装的CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2，将工业应用功率密度提升至新高度 【2025年8月1日，德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司近日推出了采用顶部散热（TSC）Q-DPAK封装的CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2。这款新型半导体器件能够提供... （来源：新品频道）

英飞凌CoolSiCMOSFET 2025-8-1 16:27

英飞凌推出具有超低导通电阻的CoolSiC MOSFET 750 V G2，适用于汽车和工业功率电子应用

英飞凌推出具有超低导通电阻的CoolSiC MOSFET 750 V G2，适用于汽车和工业功率电子应用

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司推出新型CoolSiC™ MOSFET 750 V G2。这款新型CoolSiC™ MOSFET 750 V G2专为提升汽车及工业功率转换应用的系统效率和功率密度而设计。它提供一系列精细化的产品组合，在25°C时R DS(on) 值为4至60 mΩ，广泛适用于车载充电... （来源：新品频道）

英飞凌 导通电阻 CoolSiC MOSFET 汽车 工业 2025-7-1 11:20

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