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[原创]Infineon IMBF170R1K0M1 1700V SiC MOSFET三相功率转换器解决方案

[原创]Infineon IMBF170R1K0M1 1700V SiC MOSFET三相功率转换器解决方案

Infineon公司的IMBF170R1K0M1是CoolSiC™ 1700V SiC Trench MOSFET,采用TO-263 7L表面安装器件(SMD)封装,漏极和源极的爬电距离大约为7mm,这样安全标准很容易满足.单独驱动器的源引脚有助于降低栅极回路寄生电感,以避免栅极激振效应.器件最适合用在反激拓扑,12V/0V栅源极电压和大多数的反激控制器兼... （来源：解决方案频道）

CoolSiC SiC MOSFET电源管理 功率转换器 Infineon IMBF170R1K0M1 2022-8-17 13:04

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