• 首款具备直流阻断功能的双向GaN技术，可大幅减少功率转换拓扑结构所需的开关数量 • 兼容标准栅极驱动器 • 支持软切换与硬切换模式，实现快速、干净的过渡 2026 年 3 月 23 日，中国北京讯 - 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布，... （来源：新品频道）
瑞萨电子GaN开关功率转换TP65B110HRU 2026-3-23 16:06
作者：Frederik Dostal，电源管理专家 摘要 在开关模式电源中使用GaN开关是一种相对较新的技术。这种技术有望提供更高效率、更高功率密度的电源。本文讨论了该技术的准备情况，提到了所面临的挑战，并展望了GaN作为硅的替代方案在开关模式电源中的未来前景。 如今，电源管理设计工程师常常会问... （来源：技术文章频道）
开关模式电源GaN开关 2025-3-19 14:00
在开关模式电源中使用GaN开关是一种相对较新的技术。这种技术有望提供更高效率、更高功率密度的电源。本文讨论了该技术的准备情况，提到了所面临的挑战，并展望了GaN作为硅的替代方案在开关模式电源中的未来前景。如今，电源管理设计工程师常常会问道：现在应该从硅基功率开关转向GaN开关了吗？ 氮化... （来源：技术文章频道）
硅基功率开关GaN开关 2025-2-28 10:23
符合AEC-Q100标准的InnoSwitch3-AQ反激式开关IC现在提供900V氮化镓(GaN)选项。 新器件采用PI的PowiGaN技术，可提供高达100W的功率，效率超过93%，并且无需散热片。 更大的功率和更高的设计裕量特别适用于在基于400V母线系统的电动汽车中对12V电池进行替代。电动汽车制造商正在优化其400V系统，并重新设... （来源：新品频道）
InnoSwitch3－AQ PowiGaN开关 2023-4-26 15:16
Infineon公司的600 V CoolGaN高压GaN开关是单路绝缘栅驱动器,是GaN EiceDRIVER™系列产品. CoolGaN™增强模式HEMT是Infineon公司的EiceDRIVER™ IC中1EDF5673K, 1EDF5673F 和1EDS5663H最好驱动器.单路电流绝缘VIO=1500VDC,输出脉冲宽度大于18ns,传输时延精度13ns,降低死区损坏多达50%,可... （来源：解决方案频道）
电源管理 GaN开关 绝缘栅驱动器 2020-2-21 11:45
作者：安森美半导体策略营销总监Yong Ang 氮化镓(GaN)是最接近理想的半导体开关的器件，能够以非常高的能效和高功率密度实现电源转换。但GaN器件在某些方面不如旧的硅技术强固，因此需谨慎应用，集成正确的门极驱动对于实现最佳性能和可靠性至关重要。本文着眼于这些问题，给出一个驱动器方案，解决设... （来源：技术文章频道）
GaN开关硅开关电源转换器 2019-11-25 11:26
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![[原创] Infineon 600 V CoolGaN高压GaN开关绝缘栅驱动方案](http://www.tiexinbb.com/uploads/solution/202002/sm_20200221114331.jpg)
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