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铠侠与闪迪发布下一代3D闪存技术，实现4.8Gb/s NAND接口速度

铠侠与闪迪发布下一代3D闪存技术，实现4.8Gb/s NAND接口速度

两家公司预展第十代3D闪存技术，为性能、能效和位密度设立新标准 旧金山, 国际固态电路会议（ISSCC）——铠侠株式会社与闪迪公司联合发布一项尖端3D闪存技术，凭借4.8Gb/s NAND接口速度、卓越的能效以及更高的位密度，树立了行业新标准。 两家公司在2025年国际固态电路会议上展示了这项... （来源：新闻频道）

铠侠闪迪3D闪存技术 2025-2-24 09:50

Kioxia与Sandisk推出下一代3D闪存技术，实现4.8Gb/s的NAND接口速度

Kioxia与Sandisk推出下一代3D闪存技术，实现4.8Gb/s的NAND接口速度

两家公司预览第十代3D闪存技术，为性能、电源效率和比特密度设定新基准 Kioxia Corporation和Sandisk Corporation率先推出了先进的3D闪存技术，以4.8Gb/s的NAND接口速度、卓越的电源效率和更高的密度树立了行业标杆。 在2025年国际固态电路会议(ISSCC 2025)上推出的这项新3D闪存创新结合了两家公... （来源：新闻频道）

KioxiaSandisk3D闪存技术 2025-2-21 14:26

西部数据携手铠侠推出第八代3D闪存技术

西部数据携手铠侠推出第八代3D闪存技术

采用突破性缩放和晶圆键合技术的架构创新，在性能、密度和成本效益方面实现了重大飞跃西部数据公司（NASDAQ：WDC）日前宣布，与合作伙伴铠侠联合研发出全新的3D闪存技术，展示了双方持续携手创新的成果。该技术采用先进的缩放和晶圆键合技术，能够以更低的成本提供具备卓越容量、性能和可靠性的解决方案... （来源：新闻频道）

铠侠 西部数据 3D闪存 2023-4-3 10:32

泛林硅部件推动产业发展

泛林硅部件推动产业发展

刻蚀一直是硅芯片制造的一道重要工艺步骤。为了制造我们日常使用的智能手机、笔记本电脑等各种功能日新月异的电子设备，如今芯片制造商越来越需要采用极高深宽比的刻蚀工艺来生产3D闪存和动态随机存取存储器(DRAM)芯片。这种情况下，对刻蚀设备的要求越来越高，而泛林提供的高性能刻蚀设备已经成为实现... （来源：技术文章频道）

硅部件硅晶圆 3D闪存 存储器(DRAM)芯片 2021-8-30 14:37

Kioxia和西部数据宣布推出第六代162层3D闪存技术

Kioxia和西部数据宣布推出第六代162层3D闪存技术

Kioxia（铠侠）和西部数据今天宣布，双方合作开发了第六代162层3D闪存技术。这是两家企业建立20年合作关系的又一里程碑，也是两家公司迄今密度最高、最先进的3D NAND技术。 Kioxia首席技术官Masaki Momodomi表示： “通过我们长达20年可靠的合作关系，Kioxia和西部数据成功地在制造和研发方面创造... （来源：新闻频道）

Kioxia西部数据 2021-2-20 16:19

国产DRAM内存抱团发展 合肥长鑫与长三角3家公司达成合作

国产DRAM内存抱团发展 合肥长鑫与长三角3家公司达成合作

长三角一体化发展重大合作事项签约仪式在湖州举行，合肥长鑫与苏州瑞红电子化学品有限公司、宁波江丰电子材料股份有限公司、上海新昇半导体科技有限公司共同签约，一致同意支持长鑫12英寸存储器晶圆制造基地项目建设。 2019年国内存储芯片取得了两个突破——长江存储的3D闪存、合肥长鑫的DRAM内存双... （来源：新闻频道）

DRAM内存 3D闪存 2020-6-8 10:37

长江存储128层QLC 3D闪存研制成功

长江存储128层QLC 3D闪存研制成功

2020年已经有越来越多的品牌开始推国产主控+国产闪存的SSD硬盘了，这背后主要得益于长江存储去年9月量产的64层3D闪存。最新消息称，长江存储除了对外供应闪存之外，Q3季度还会推出自有品牌的SSD硬盘。 在全球闪存市场上，三星、东芝、美光、西数、Intel、SK海力士等6大原厂闪存公司都是一方面对外... （来源：新闻频道）

长江存储 128层QLC 3D闪存 2020-6-5 13:07

三星正努力攻破160层3D闪存，制造工艺将大幅提高

有消息称，继去年推出的136层第六代V-NAND闪存后，三星目前正在研发160层及以上的3D闪存，将成为第七代V-NAND闪存的基础。 据了解，136层第六代V-NAND闪存是三星今年的量产主力。韩媒报道称三星可能会大幅改进制造工艺，从现在的单堆栈（single-stack）升级到双堆栈（double-stack），以便制造更高层... （来源：新闻频道）

三星3D闪存 2020-4-21 09:34

2019年闪存价格明年要涨价 国产闪存3年跻身全球第五

2019年闪存价格明年要涨价 国产闪存3年跻身全球第五

2019年还有三周时间就要过去，今年的闪存市场局数已定，分析师称今年闪存价格依然是大跌，价格腰斩，但是明年闪存价格可能就要重新回到涨价轨道。不过随着中国公司加入存储芯片市场，长期来看依然是供过于求。 根据集邦科技旗下的半导体研究中心DRAMeXchange所说，2019年闪存市场需求增加了35%，供给... （来源：新闻频道）

存储芯片市场3D闪存 2019-12-9 15:36

聚焦高端芯片设备战略，中微半导体投资上海睿励

8月21日，中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“中微半导体”）发布公告称，拟对睿励科学仪器（上海）有限公司（以下简称“上海睿励”）进行投资，金额为1375万元，投资完成后中微半导体持股上海睿励股权比例约为10.41%。资料显示，上海睿励是国内集成电路工艺检测设备供应商，目前拥有的主要... （来源：新闻频道）

3D闪存芯片 2019-8-23 09:55

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