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AI 新路径：全球最大纳米级磁振荡器同步网络验证，45 纳秒同步 10.5 万个振荡器

AI 新路径：全球最大纳米级磁振荡器同步网络验证，45 纳秒同步 10.5 万个振荡器

科技媒体 Business Standard 于 7 月 14 日发布博文，报道称科研团队通过实验证明全球最大纳米级磁振荡器同步网络，可以在 45 纳秒内同步 10.5 万个纳米振荡器。 注：纳米振荡器是一种利用纳米尺度物理效应产生高频电磁波或光波的新型微波 / 光学器件，其中最主流、研究最广泛的是自旋转移力矩纳米振... （来源：技术文章频道）

AI 新路径磁振荡器 2026-7-17 15:20

全球首个纳米级微振动实验室在雄安投运，可测试大型半导体设备

全球首个纳米级微振动实验室在雄安投运，可测试大型半导体设备

国家开发投资集团有限公司（以下简称“国投集团”）旗下中国电子工程设计院股份有限公司（简称“中国电子院”）自主研发建设的纳米级微振动实验室，近日在河北雄安新区正式投运。该实验室被认定为全球首个纳米级微振动实验室，标志着我国在精密装备微振动环境控制领域取得重要技术... （来源：新闻频道）

纳米级微振动 2026-3-31 17:32

突破技术瓶颈！我国成功研发出亚纳米级高熵合金

突破技术瓶颈！我国成功研发出亚纳米级高熵合金

据“安徽师范大学”消息，近日，安徽师范大学校长熊宇杰教授团队联合中国科学技术大学相关科研人员，在温和条件下利用激光辐照激发等离激元光热与热电子效应，成功创制出亚纳米尺度的高熵合金。该研究成果已发表于国际权威期刊《自然·材料》。 将五种或更多不同金属“融合&rd... （来源：新闻频道）

高熵合金 2025-10-20 15:21

三星发布其容量最大的12纳米级32Gb DDR5 DRAM产品

三星发布其容量最大的12纳米级32Gb DDR5 DRAM产品

在相同封装尺寸下，容量是16Gb内存模组的两倍，功耗降低10%，且无需硅通孔(TSV)工艺即可生产128GB内存模组此次新品为实现高达1TB容量的内存模组奠定了基础随着12纳米级内存产品阵容的扩展，三星将持续为AI，下一代计算等多行业的各种应用提供支持三星宣布采用12纳米(nm)级工艺技术，开发出其容量最大的... （来源：新品频道）

三星32Gb DDR5 DRAM 2023-9-1 15:01

千锤百炼：浪潮信息NVH降噪黑科技 纳米级雕琢让性能翻倍

千锤百炼：浪潮信息NVH降噪黑科技 纳米级雕琢让性能翻倍

服务器系统设计面临着功耗、散热、可靠性等等多个变量，彼此之间互相掣肘。为了设计出高效、高密度的产品，如何走出这场博弈困境？近期，浪潮信息正式发布两项服务器新技术，为其全新上市的G7算力平台提供卓越的性能、可靠性和易维护性支撑。其中，服务器NVH（Noise噪声、Viberation振动、Harshness声振... （来源：新闻频道）

浪潮信息 NVH降噪黑科技 2023-6-2 15:05

三星电子宣布12纳米级 DDR5 DRAM已开始量产

三星电子宣布12纳米级 DDR5 DRAM已开始量产

三星电子最新推出的DRAM将以更高的能效和生产率，优化人工智能应用在内的下一代计算今日，三星电子宣布其采用12纳米级工艺技术的16Gb DDR5 DRAM已开始量产。三星本次应用的前沿制造工艺，再次奠定了其在尖端DRAM技术方面的优势。 "采用差异化的工艺技术，三星业内先进的12 纳米级DDR5 DRAM具备出色的... （来源：新闻频道）

三星电子 DDR5－DRAM 2023-5-18 14:45

SK海力士第四代10纳米级DDR5服务器DRAM全球首获英特尔认证

SK海力士第四代10纳米级DDR5服务器DRAM全球首获英特尔认证

• 获得近期上市的英特尔CPU“Sapphire Rapids”兼容存储器认证• 以DDR5积极应对服务器市场，提早克服存储器半导体低迷期• 第二代10纳米级也一同认证，以多种产品群应对服务器客户SK海力士（或‘公司’，https://www.skhynix.com）12日宣布，公司研发的第四代10纳米级（1a）DDR5服务器... （来源：新闻频道）

SK海力士 DDR5 英特尔 2023-1-12 16:13

三星电子首款12纳米级DDR5 DRAM开发成功

三星电子首款12纳米级DDR5 DRAM开发成功

-  三星电子新款DRAM将于2023年开始量产，以优异的性能和更高的能效，推动下一代计算、数据中心和AI应用的发展三星电子宣布，已成功开发出其首款采用12纳米（nm）级工艺技术打造的16 Gb DDR5 DRAM，并与AMD一起完成了兼容性方面的产品评估。 三星电子首款12纳米级DDR5 DRAM 三星电子高级副... （来源：新品频道）

三星电子 DDR5 DRAM 2022-12-21 10:42

高深宽比刻蚀和纳米级图形化推进存储器的路线图

高深宽比刻蚀和纳米级图形化推进存储器的路线图

作者：泛林集团 先进技术发展事业部公司副总裁潘阳博士、先进技术发展事业部 / CTO办公室研究员 Samantha Tan 和全球产品事业部副总裁 Richard Wise随着市场需求推动存储器技术向更高密度、更优性能、新材料、3D堆栈、高深宽比 (HAR) 刻蚀和极紫外 (EUV) 光刻发展，泛林集团正在探索未来三到五年生产可... （来源：技术文章频道）

存储器技术 3D NAND闪存 硬掩膜沉积 2022-1-10 14:28

SK 海力士：采用 EUV 技术的第四代 10 纳米级 DRAM 开始量产

SK 海力士：采用 EUV 技术的第四代 10 纳米级 DRAM 开始量产

SK 海力士在其官网宣布，公司的第四代 10 纳米（1a）级工艺的 8Gigabit（Gb） LPDDR4 移动端 DRAM（动态随机存储器）产品已经在今年 7 月初开始量产。 这是 SK 海力士首次采用 EUV 技术进行 DRAM 产品的量产。SK 海力士预计从下半年开始向智能手机厂商供应采用 1a 纳米级技术的移动端 DRAM。 Strat... （来源：新闻频道）

SK 海力士DRAM 2021-7-12 14:10

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