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Ampleon为5G NR和4G LTE宏基站应用提供紧凑型多级Doherty MMIC驱动器，借此扩展无隔离器的6GHz以下产品线

Ampleon为5G NR和4G LTE宏基站应用提供紧凑型多级Doherty MMIC驱动器，借此扩展无隔离器的6GHz以下产品线

埃赋隆半导体（Ampleon）利用先进的LDMOS晶体管技术，推出了B11G3338N80D推挽式3级全集成Doherty射频晶体管——该晶体管是GEN11 Macro驱动器系列的载体产品，涵盖所有6GHz以下频段。这种高效的多频段器件覆盖3.3至3.8GHz的频率范围，可实现下一代大功率和具有市场领先效率的宏基站。 该驱动器产品系... （来源：新品频道）

Ampleon5G NR4G LTEDoherty MMIC驱动器 2022-2-25 16:03

Ampleon为5G NR和4G LTE宏基站应用提供紧凑型多级Doherty MMIC驱动器

埃赋隆半导体（Ampleon）利用先进的LDMOS晶体管技术，推出了B11G3338N80D推挽式3级全集成Doherty射频晶体管——该晶体管是GEN11 Macro驱动器系列的载体产品，涵盖所有6GHz以下频段。这种高效的多频段器件覆盖3.3至3.8GHz的频率范围，可实现下一代大功率和具有市场领先效率的宏基站。 该驱动器产品系... （来源：新闻频道）

Ampleon5G NR4G LTEDoherty MMIC驱动器 2022-2-25 09:21

Ampleon发布增强性能的第3代碳化硅基氮化镓晶体管

Ampleon发布增强性能的第3代碳化硅基氮化镓晶体管

埃赋隆半导体（Ampleon）今天宣布推出两款新型宽带碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）高电子迁移率晶体管（HEMT），功率等级分别为30W的CLF3H0060(S)-30和100W的CLF3H0035(S)-100。这两款高线性度器件是我们最近通过认证并投入生产的第3代GaN-SiC HEMT工艺的首发产品。 这些器件提供了低偏置下的宽带高... （来源：新品频道）

Ampleon氮化镓晶体管 2022-2-23 11:04

埃赋隆推出400W坚固耐用的Doherty射频功率晶体管，据此扩展LDMOS基站和多载波产品线

埃赋隆推出400W坚固耐用的Doherty射频功率晶体管，据此扩展LDMOS基站和多载波产品线

埃赋隆半导体（Ampleon）今天宣布推出BLC10G27XS-400AVT 400W非对称Doherty射频功率晶体管。此Doherty晶体管专为在2.496GHz至2.690GHz频率范围内工作的基站多载波应用而设计，其采用了埃赋隆备受业界推崇的第9代28V LDMOS工艺技术。该Doherty晶体管采用气腔塑料（ACP）无耳SOT-1258-4封装制造，通常可提... （来源：新品频道）

埃赋隆Doherty射频功率晶体管BLC10G27XS－400AVT 2021-10-28 09:51

优化的Ampleon射频放大器功能强大可应对具有挑战性的应用场景

优化的Ampleon射频放大器功能强大可应对具有挑战性的应用场景

埃赋隆半导体（Ampleon）宣布进一步扩展其下一代放大器IC产品组合。这些器件基于该公司的先进加固技术（ART）制作；由于采用了耐用设计，它们能够应对最恶劣的工作条件。 凭借1400W和1600W的额定功率，全新ART1K6x系列中的器件可在1MHz至450MHz的频率范围内工作。高击穿电压使它们能够用于48V的E类功... （来源：新品频道）

AmpleonART1K6PH (G) 2021-9-1 09:33

埃赋隆半导体推出全新高功能通用宽带LDMOS晶体管，以适应广播电视、工业、科学和医疗应用

埃赋隆半导体推出全新高功能通用宽带LDMOS晶体管，以适应广播电视、工业、科学和医疗应用

埃赋隆半导体（Ampleon）宣布推出两款新的宽带放大器系列——额定电压为32V的BLP15M9Sxxx器件和额定电压为50V的BLP15H9Sxxx器件， 從而进一步加强其先进而又高性价比的射频功率放大器解决方案的产品组合。 BLP15M9Sxxx和BLP15H9Sxxx这两个系列分别基于公司的第9代LDMOS技术和高压LDMOS技术生产，并... （来源：新品频道）

埃赋隆半导体LDMOS晶体管 2021-7-7 09:40

可增强小基站和mMIMO驱动器系统的全集成型Doherty功率放大器

可增强小基站和mMIMO驱动器系统的全集成型Doherty功率放大器

埃赋隆半导体（Ampleon）基于其先进的LDMOS晶体管技术并利用高度集成，针对下一代小基站基础设施和大规模MIMO实施提供了全面的射频功率放大器器件组合。该公司的LGA系列功率放大器采用50Ω输入/输出的小尺寸（尺寸为7mm×7mm）封装供货，能够实现业界领先的性能参数。该系列中的高增益器件覆盖了从700MHz... （来源：新品频道）

埃赋隆半导体LDMOS晶体管 2021-7-1 17:02

了解未来与大功率射频相关的多用途市场需求

了解未来与大功率射频相关的多用途市场需求

作者：Alan Hutton，欧洲、中东和非洲（EMEA）/印度销售总监，埃赋隆半导体（Ampleon）在过去几年里，市场上出现了面向多样化和高利润的多用途市场——包括广播电视和航空航天以及工业、科学和医疗（ISM）应用——的大功率RF产品。业界已经历了一场范式转变，需要在提高功率水平的同时提高效率。从早期... （来源：技术文章频道）

大功率射频器件 GaN技术 LDMOS技术 功率放大器（PA） 2021-6-28 10:23

为远程超高频雷达系统而设计的高效坚固的800W LDMOS射频功率晶体管

为远程超高频雷达系统而设计的高效坚固的800W LDMOS射频功率晶体管

埃赋隆半导体（Ampleon）现已发布BLU9H0408L-800P 800W射频功率晶体管。它采用埃赋隆最新的第九代（Gen9）（50V）LDMOS工艺技术，专门为工作在400MHz至800MHz超高频（UHF）频段的大功率雷达系统而设计。 BLU9H0408L-800P完美适用于大功率远程雷达系统，支持现代雷达所需要的长脉冲和高占空比要求，... （来源：新品频道）

埃赋隆半导体BLU9H0408L－800P 2020-10-29 11:40

用于下一代电视广播发射机的新型RF功率晶体管和超宽带Doherty放大器

用于下一代电视广播发射机的新型RF功率晶体管和超宽带Doherty放大器

埃赋隆半导体（Ampleon）现已发布BLF989E射频功率晶体管，这一晶体管采用了最新的第九代高压（50V）LDMOS工艺技术。BLF989E是针对用于下一代UHF电视发射机所需的高效Doherty放大器而设计的。 作为UHF广播应用射频功率晶体管的全球市场领导者，Ampleon开发了BLF989E来满足市场对电视发射机更高效运行... （来源：新品频道）

晶体管Doherty埃赋隆半导体BLF989E 2020-10-16 10:04

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