罗姆推出第二代太赫兹振荡芯片，输出功率提升至4倍

8月4日，日本半导体大厂罗姆（ROHM）宣布，已成功开发出第二代太赫兹（Terahertz-wave）振荡芯片。新产品采用共振穿隧二极管（RTD）构架，在维持与前一代相同的0.5毫米见方微型尺寸下，将最大振荡输出功率提升至40微瓦（μW），约为第一代的4倍。

太赫兹波是频率介于无线电波与可见光之间的电磁波，兼具可穿透部分材料与直线传播等特性，非常适合应用于非破坏性检测、材料识别、水分量测，以及医疗图像与感测等领域。不过，过去相关技术受限于系统庞大且成本高昂，导致商业化发展受限。

突破光学系统限制，微型设计支持室温运作

罗姆表示，其RTD技术利用电子穿越极薄半导体屏障的“量子穿隧效应”，可产生超高频电信号并发射太赫兹波。该技术不需仰赖激光等大型光学系统，有助于打造更小型、低功耗的装置，且能在室温下稳定运作，无须额外配备冷却设备。此次推出的第二代产品透过重新设计内部结构，大幅提高了输出功率，使穿透目标物或反射后的太赫兹波更容易被侦测，对需要高信号质量的感测与成像应用更为有利。

罗姆指出，这项新产品正是为了响应2024年推出第一代样品后，市场对于更高输出功率的殷切需求。同时公司也表示，针对偏好低功耗方案的客户，未来仍会持续供应第一代产品。

同步推出评价套件，大幅降低设备研发门坎

配合新芯片问世，罗姆将于本月起推出「RTD-EVK-G2」评估套件，每套建议售价为35万日元（未税），内容包含第二代芯片、连接线与评价板。罗姆强调，相较于传统的大型系统，该套件能协助研究机构与设备制造商，以更低的成本及更小的空间需求来进行太赫兹技术的评价；惟客户在购买前须先签署保密协定（NDA）。

自2000年代后期起，罗姆便持续与东京科学大学、大阪大学等多所顶尖大学及研究机构展开合作，致力于开发基于RTD的太赫兹波振荡与侦测技术。