高密度AI服务器电源：HVDC隔离、SiC/GaN驱动、高带宽采样与400MHz实时控制
文章导读
• 高密度服务器电源设计：高压、高频、高功率密度和多相控制，带来哪些新的芯片设计要求；
• 隔离+：800V高压架构下的耐压、CMTI、传输延时与集成设计；
• 驱动：SiC/GaN高频开关对驱动电流、抗扰能力和延时匹配的要求；
• 采样：高密度电源中的带宽、量程、精度与小型化设计；
• 实时控制：多相电源对MCU运算性能、PWM和ADC资源的要求。
五大落地路径
电源设计应对高密度设计需求
AI服务器功率和功率密度不断提升，对电源的通流能力、转换效率和散热带来更大挑战，设计主要从以下五个方向进行优化：
大功率回路硬件扩容
一方面选用大规格功率半导体器件，或采用多器件并联提升回路通流能力；另一方面采用多相交错电源架构，通过多个功率子模块协同工作，针对重载、轻载等不同工况优化电源转换效率，是当前大功率PSU的主流设计思路。
系统架构高压化（HVDC高压直流）
800V高压母线方案大范围普及，通过提升系统额定电压降低回路传输电流，减少线缆、铜排的传导损耗，同时缩减母线铜材占用空间，从系统层面提升整机功率密度。
开关电源高频化
利用SiC、GaN等宽禁带功率器件的高频特性，提高电源开关频率，缩小变压器、电感、电容等无源器件体积，是提升电源功率密度的重要技术路径。
软开关拓扑+开关速率优化..
