三星混合键合HBM延至2029年，将与英伟达Feynman平台共同亮相

据外媒Wccftech报道，随着高带宽内存（HBM）持续朝更高堆叠层数与更高带宽演进，市场普遍认为混合键合（Hybrid Bonding）为下一代HBM关键封装技术。不过韩国业界消息传出，三星可能将混合键合HBM大规模量产时间延后至2029至2030年，并与英伟达下一代Feynman AI GPU平台同步导入。

资料显示，引入混合键合技术将移除HBM堆叠中各层DRAM晶片之间的微凸块（Micro Bump），改采铜对铜（Cu-to-Cu）直接键合，可大幅缩短芯片层间距离，进一步提升带宽、降低功耗与改善散热，因此被视为关键技术。

消息人士指出，三星评估混合键合真正具备成熟量产条件的时间点，将落在2029至2030年，预计搭配英伟达Feynman AI GPU一同推出。

作为英伟达Rubin Ultra的下一代AI平台，传闻Feynman平台将采用3D堆叠架构，由英特尔负责部分先进封装，并搭载定制化高带宽内存（Custom HBM）。市场推测，Feynman可能采用HBM5或基于HBM5发展的定制化版本。

据悉，三星最快将于今年底开始在平泽厂区安装混合键合设备，但初期主要用于技术验证与产线建置，真正量产仍需等待2029至2030年。

不过，此前也有报导指出，混合键合最快从HBM4E开始导入。据悉，三星目前正向荷兰半导体设备商贝思半导体（BESI）采购约50台混合键合设备。但三星希望设备能定制化，当然也不排除评估韩国本土设备厂采购的可能性。

至于定制化HBM，是在3D系统级封装（SiP）架构下，以客户自有的逻辑芯片（Logic Die）取代传统HBM的Base Die，使内存与计算芯片整合更加紧密，进一步提升AI计算效率与系统效能。

值得注意的是，近期传出JEDEC正研议放宽HBM封装厚度规范，使HBM4E仍可沿用既有热压键合技术，降低业者短期内导入混合键合的迫切性。三星与SK海力士等大厂都可能将混合键合全面商用的时间点延后至HBM5世代，以配合英伟达Feynman AI GPU问世时间。