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希荻微HL8112FN02:I²C可编程POL,赋能高密度算力供电

希荻微近日面向工业与高密度算力市场,正式推出同步滞回降压转换器 HL8112FN02。该产品采用紧凑的3mm×4mm QFN-14封装,在极小尺寸下实现12A持续/15A峰值输出电流,并支持I²C全参数可编程与动态电压缩放(DVS)功能,精准适配边缘计算SoC、企业级SSD、网络通信设备以及服务器辅助供电等高要求场景,为高算力基础设施提供高效的电源管理方案。

工业高密度场景对 POL 供电的新挑战

随着AI推理、PCIe 5.0存储、5G基站等应用对算力与存储密度的要求持续攀升,负载点电源(POL,Point of Load)面临三大核心考验:

传统固定参数的DC-DC已难以胜任,而全数字可编程、小封装、大电流的POL 成为必然选择。

I²C 数字接口:让电源“随芯而动”

HL8112FN02采用标准I²C接口(支持3.4MHz高速模式),通过8个寄存器(0x00~0x07)实现全面的在线配置与监测,兼顾易用性与实时性。所有可编程项均来自数据手册,包括:

同时,HL8112FN02内置两路8bit ADC,每2ms自动采样两次,可实时读取输出电压(LSB=20mV,量程 0.5~5.6V)和输出电流(LSB=50mA,量程 0~12.75A),无需外部采样电路即可实现系统级功耗监测与故障预警。

滞回控制 + 低阻 MOSFET,效率与瞬态兼得

HL8112FN02采用同步滞回控制架构,轻载时自动切换至PFM模式,空载静态电流典型值400μA(最大 600μA),显著提升轻载效率;重载时转入固定频率 PWM,输出纹波小,瞬态响应优异。芯片内置功率 MOSFET 内阻典型值为上管15mΩ、下管4.5mΩ,并具有最小导通时间 50ns和最小关断时间185ns,支持高开关频率下的宽占空比调节。

配合可调前馈电容(CFF),可进一步优化环路相位裕度,改善负载瞬态响应,确保对处理器瞬时大电流变化的稳定支撑。

完整保护机制,保障工业系统可靠性

HL8112FN02集成了数据手册所列的全部硬件保护功能,并可灵活配置其行为:

此外,开漏PG(Power Good)引脚提供输出正常指示(窗口为基准的±15%),可用于多电源时序控制。

灵活应用,快速部署

HL8112FN02支持2.85V~18V宽输入电压,输出电压通过外部分压电阻设置为 0.5V~5.5V。芯片提供完整的 推荐外围器件BOM(含输入/输出电容、自举电容、前馈电容、软启动电容、VCC旁路电容的具体型号与规格)和 电感选型表(0.47μH~1.5μH,附厂商型号与 DCR/饱和电流),以及 PCB 布局硬性规范(如输入电容紧贴VIN/PGND且不走有过孔、SW走线短而宽、FB反馈线远离噪声源、功率地与模拟地单点共地等),帮助工程师在短时间内完成高可靠性设计。

典型应用领域包括:

小结

HL8112FN02以3mm×4mm极小封装承载12A持续/ 15A峰值大电流,以 I²C 全数字控制赋予电源设计前所未有的灵活性,以完备可配置保护与内置ADC监测保障工业级可靠性。它专注于单路高密度供电场景的最优解,在空间、效率、灵活性与成本之间取得精准平衡。

目前HL8112FN02已进入量产,可提供样品、评估板及完整技术支持。如需进一步了解产品详情或申请样片,请联系希荻微销售团队或访问公司官方网站。

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