|
当前状态:
座谈已结束
|
|||
|
叶飞 Microchip 深圳分公司 主任客户经理 |
叶飞（Frank Ye）现于Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）深圳分公司任职主任客户经理。于2019年加入Microchip，在半导体行业的电力电子以及网络通信领域有着17年的工作经验。在此之前，他曾在威世半导体任职渠道和区域经理岗位。 叶飞于2004年毕业于江汉大学，获得测控技术与仪器专业学士学位。在功率半导体和网络通信产品方面，有着丰富的推广经验。他目前在Microchip负责功率半导体/以太网供电PoE/网关语音类芯片以及位置传感器等产品的市场推广工作。 |
| [问:] | 高温环境下，反激式电源中，sic mosfet是否有优势？ |
| [答:] | SiC反向击穿电压可以做到3.3KV了，这个特别在宽电压输入的反击中有优势 |
| [问:] | Microchip的SiC可以提高多少电源效率？ |
| [答:] | 如果和IGBT 相比，可以节省高达70%的损耗 |
| [问:] | Microchip的SiC MOSFET生产工艺是怎样的？有什么特点？ |
| [答:] | 平面结构，显著特点雪崩耐受能力强 |
| [问:] | SIC功率器件交收哪些项目参数比较重要？ |
| [答:] | 一般 导通内阻，击穿电压，持续导通电流和峰值电流。其它参数可见规格书。 |
| [问:] | Microchip除了700V，1200V，1700V的SiC以外，还有没有其他电压范围的产品？ |
| [答:] | 3.3kv的碳化硅产品扩充了工程师系统应用的选型 |
| [问:] | Microchip除了700V，1200V，1700V的SiC以外，还有没有其他电压范围的产品？ |
| [答:] | 我们新推出了3.3kv的SIC Mosfet产品，扩充了 |
| [问:] | 常见的失效模式有哪些？ |
| [答:] | EOS是比较常见的失效模式，应用中需要遵照规格书中的最大电气指标规定，以避免这种失效 |
| [问:] | 是否也已有哪些更进一步提升优化拓展创新的前瞻性规划？ |
| [答:] | 我们目前刚刚发布3.3kV 的二极管和MOSFET以适应市场对高功率密度的需求 |
| [问:] | SiC MOSFET的输出开关电流变化率跟传统的硅MOSFET相比，孰高孰低？ |
| [答:] | 就开关部分，通常使用SiC MOSFT可以做得更高 |
| [问:] | Microchip的SiC应用有哪些？ |
| [答:] | MCHP SiC主要用于大功率电源，比如OBC， EV，PV，Data Center， 通讯，半导体设备，医疗等等 |
| [问:] | 能否仿真？效果如何？ |
| [答:] | 我们不提供仿真，我们可以协助客户做仿真 |
| [问:] | 请问：全面推行碳化硅替代IGBT的关键技术难点有哪些？ |
| [答:] | 系统设计与IGBT使用的差异需要改动，包括被动器件参数的调整，栅极驱动的差异（驱动电压不同），开通关断过程的处理。 |
| [问:] | 目前最高功率的产品是哪款？具体性能参数？ |
| [答:] | MCHP SiC包括二极管，MOSFET和模块产品，从700V到3300V分布在不同电压及功率等级 |
| [问:] | 自主的独特创新元素有哪些？ |
| [答:] | MCHP SiC长期可靠性比较好 |
| [问:] | 碳化硅是否有在固态继电器的使用案例？ |
| [答:] | 有客户测试后认为可以使用，基于目前价格因素，目前市场普通硅使用多。 |
| [问:] | Microchip SiC PWM频率最高多少？ |
| [答:] | 最高在400KHz左右，具体根据器件在系统的使用余量不同。 |
| [问:] | MicroChi SIC 产品跟同行比有那些特点了？ |
| [答:] | 交货期段，不会EOL（不停产）。性能上：栅极氧化物稳定，栅极氧化侧寿命长，雪崩耐受强壮，抗冲击长时间稳定，短路耐受强，有MCHP独特的ASDAK驱动方案可以快速解决客户的选型和保证开关过程中的过冲及振铃有效抑制、提升器件的安全裕度和系统的EMC性能。 |
| [问:] | SiC MOSFET的栅极驱动电路如何设计?和Si MOSFET的栅极驱动如何接口? |
| [答:] | 通常SiC和Si的门驱动电压不同，一些SiC需要负压，主要看具体情况作出相应修改 |
| [问:] | Microchip在汽车领域有哪些应用？ |
| [答:] | 主要用于大功率电源，汽车应用主要集中在OBC和充电桩 |
| [问:] | 微芯对于Sic原件在技术先进性方面有哪些技术特点？ |
| [答:] | 导通和开关损耗小，电子流动性更好，反向耐压性能好，相同体积下可承载更大电流和功率密度 |
| [问:] | 有那些可靠性测试过吗？ |
| [答:] | 栅极氧化物的稳定性，栅极氧化层的寿命，雪崩耐受试验，TDDB试验，短路耐受功率试验，耐中子辐射试验，全温度导通电阻变化试验等。 |
| [问:] | SiC器件应用到电力滤波的案例有吗？ |
| [答:] | 对于现有电力滤波使用的普通硅材的DIODE，MOSFET，IGBT器件的，SIC二极管和MOSFET都可以替代使用。 |
| [问:] | Microchip稳定性如何？ |
| [答:] | MCHP SiC及其他Si分立器件是以可靠性著称的 |
| [问:] | SiC的交货期如何保证？其售后服务又如何来解决？谢谢 |
| [答:] | 我们的双晶元选址策略和30多年功率半导体领域的服务经验保障客户稳定和长期的SIC供应 |
| [问:] | 整体解决方案怎么结合客户应用？ |
| [答:] | 我们有TSS整体方案提供给客户，我们的客户可以按照实际需求做选择和优化 |
| [问:] | SiC解决方案有哪些优势？解决了哪些用户的现实难题？ |
| [答:] | SiC的主要优势是效率高，功率密度大，可以帮助客户改善可靠性，散热，体积等要点 |
| [问:] | Microchip的SiC器件最长交货期多长时间？ |
