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6 条关于“NAND”的信息,用时:0.002 sec.
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NAND01G-A:90nm NAND 1Gb闪存,工作电压1.8V/3V,容量高达1Gb(x8/x16),多出的区域高达32Mb,NAND接口有x8或x16总线宽度,有复接的地址/数据,各种容量的器件的出脚是兼容的,1.8V的器件VDD+1.7-1.95V,3.0V器件VDD=2.7-3.6V,x8器件的页尺寸为(512+16)B,区块容量为(16K+512)B,页读/编程时间,随机存取为12us(3V)...
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MT29F8G08FABWP:8Gb NAND闪存存储器,配置为1Gbx8,页的大小为2112B (2048+64B),区快尺寸为64页(128K+4KB),器件的尺寸为8192区块,随机读取时间25us,顺序读为30ns(仅3V x8器件),页编程时间为300us,区块擦除为2ms,数据保存期10年,10万次编程/擦除,工作电压2.7V-3.6V,自动编程和擦除,48引脚TSOP封装,工作温度...