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Vishay发布业内首款采用热增强PowerPAK SC-70封装的150V N沟道MOSFET 2014-05-09

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出业界首款采用小尺寸、热增强型SC-70® 封装的150V N沟道MOSFET---SiA446DJ。Vishay Siliconix SiA446DJ的占位面积为2mm x 2mm，在10V下具有业内最低的导通电阻，可通过减少传导和开关损耗，在各种空间受限的应用中提高效率。SiA446DJ适用于隔离式DC/D...

N+缓冲层对PT-IGBT通态压降影响的研究 2014-01-23

摘要：N+缓冲层设计对PT-IGBT器件特性的影响至关重要。文中利用Silvaco软件对PT-IGBT的I-V特性进行仿真。提取相同电流密度下，不同N+缓冲层掺杂浓度PT-IGBT的通态压降，得到了通态压降随N+缓冲层掺杂浓度变化的曲线，该仿真结果与理论分析一致。对于PT-IGBI结构，N+缓冲层浓度及厚度存在最优值，只要合...

N+缓冲层对PT-IGBT通态压降影响的研究 2014-01-23

摘要：N+缓冲层设计对PT-IGBT器件特性的影响至关重要。文中利用Silvaco软件对PT-IGBT的I-V特性进行仿真。提取相同电流密度下，不同N+缓冲层掺杂浓度PT-IGBT的通态压降，得到了通态压降随N+缓冲层掺杂浓度变化的曲线，该仿真结果与理论分析一致。对于PT-IGBI结构，N+缓冲层浓度及厚度存在最优值，只要合...

ESD保护二极管 DF2S6.8FS NPN三极管 2SC5232-B 小信号用N沟道MOS管 SSM3K15CT 小信号 2014-01-21

型号：DF2S6.8FS品牌：Toshiba类型：ESD保护二极管潮光库存：182000封装：SOD123批号：12+型号：2SC5232-B品牌：Toshiba类型：NPN三极管潮光库存：651000HFE=500~1000最大IC=500mA批号：12+封装：SOT23型号：SSM3K15CT品牌：东芝类型：小信号用N沟道MOS管潮光库存：200000Idmax=100mA批号：12+型...

用于逆变器应用的耐用型650V沟道IGBT 2013-07-15

关键字：逆变器沟道IGBT 绝缘栅极双极性晶体管(IGBT)是具有高输入阻抗和大双极性电流能力的少数载流子功率器件。由于这些特性，IGBT非常适合电力电子中的许多应用，尤其是电机驱动器、不间断电源(UPS)、可再生能源、电焊机、感应加热炉具和其他需要高电流和高电压能力的逆变器应用。短路...

Vishay Siliconix 推出 N沟道TrenchFET®功率MOSFET 2012-06-28

21ic讯日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiA436DJ。该器件采用占位面积2mm x 2mm的热增强型PowerPAK® SC-70封装，具有N沟道器件中最低的导通电阻。新的SiA436DJ在4.5V、2.5V、1.8V、1.5V和1.2V下具有9.4mΩ、10.5mΩ、12.5m...

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