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35 条关于“EEPROM”的信息,用时:0.002 sec.
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24xx1025:1024Kb(128Kx8b)串行EEPROM,采用低功耗CMOS技术,工作电压.8V到5.5V,5.5V时的最大写电流为5mA,最大读电流为500uA,待机电流为100nA,两线串行接口总线和I2C兼容,级联到多达4个器件,自调整的擦除/写入周期,128B页写入模式,写入周期最大为5ms,整个阵列采用硬件写保护,输出斜率控制以消除地线反弹, ...
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DS2704:带SHA-1鉴定的1280位EEPROM,向后和DS2502兼容,提供1280位EEPROM数据存储和安全混编算法(SHA)引擎,采用SHA-1算法,有5个可锁住的32B页EEPROM, 支持存储电池特性,充电电压,电流和温度参数以及电池盒制造数据,EEPROM页数据可在电路中重写,Dallas 1线接口具有标准和过驱动通信速度,独特的64位串行号码...
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25AA320/25LC320/25C320:32Kb串行EEPROM,通过SPI进行存取,总线信号需要时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO),采用低功耗CMOSA技术,写入电流小于3mA,读电流500uA,待机电流500nA,结构4096x8位,32B页,写入时间小于5ms,自定时的擦除和写周期,具有区块写入的保护和内置写入保护,高可靠性,100万次擦除/写...