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12 条关于“消费类电子”的信息,用时:0.002 sec.
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DS1265:8Mb非易失性(NV)SRAM, 1,048,576x8b配置,每个NV别SRAM自备有锂离子能源和控制电路,在没有外部电源的条件下数据保存大于10年,没有电源时的数据保护是自动的,有无限次写入周期,低功耗CMOS工作,读写存取时间70ns,当电源第一次接通时锂离子能源能自动断开以保持电能,工作温度-40度到85度C,可用在各种...
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MT45W8MW16BGX-701:128Mb假静态RAM,采用低功耗的距部阵列刷新(PAR),温度补偿自刷新(TCSR)和深度降功耗(DPD)模式,具有低的成本/比特速率比,深度8Mb,宽度x16,I/O电压1.7V-1.95V,内核电压1.7V-1.95V,读/写模式有异步/页/突发模式,有隐藏的刷新工作和先进的功率管理特性,54引脚VFBGA封装(8.0x 10.0 x 1.0mm...
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M25P128:128Mb低压串行闪存存储器, 16Mb x 8结构,64个扇区,每个扇区有1024页,每页256B宽,总容量16777216B(65536页),50MHz高速SPI兼容总线存取,每页(256B)编程时间2.5ms,扇区2Mb擦除和128Mb整体擦除,工作电压2.7V-3.6V,最大时钟速率50MHz, JEDEC标准两字节电子签名,每扇区大于1万次擦除/编程,数据保存期...