利用FPGA实现模式可变的卫星数据存储器纠错系统 2012-05-17

利用FPGA实现模式可变的卫星数据存储器纠错系统 2011-11-12

利用FPGA实现模式可变的卫星数据存储器纠错系统 2011-01-21

• 利用FPGA实现模式可变的卫星数据存储器纠错系统

FM3104/16：带存储器的集成电路处理器 2007-10-16

• FM3104/16：带存储器的集成电路处理器；高度集成芯片代替多重器件：串行非易失性存储器、实时时钟（RTC）、低电压复位、看门狗计数器、早期掉电报警/NMI、两个16位事件计数器、串行数据安全密码锁；铁电非易失性存储器：4Kb, 16Kb, 64Kb, and 256Kb 版本、读写无限制、数据掉电保存10年、写数据无延时；...

[数字电路]SN75370双MOS存储器接口 2007-09-27

• SN75370是一种单片集成读／写接口电路，可用于4062以及同类型的MOS RAM与TTL电路之间的输入／输出接口。它能直接与4062等类似MOS RAM的I／O接口，写入操作时，驱动器可提供一互补的高电压输出，读出操作灵敏度高，TTL与DTL相容的二极管钳位输入，TTL与DTL相容的数据输出，数据输出端可作“与”连接，电...

LRI64:无接触64位存储器 2007-09-27

• LRI64:无接触64位存储器,有64位只读性的独特的识别码(UID),和13.56MHz无接触产品的ISO 15693的标准兼容,完全支持ISO抗冲突机制,载波频率13.56MHz+/-7kHz,到LRI64,采用1/4脉冲定位代码(26kbps)de110%ASK调制,从LRI64,采用423kHz单一副载波的Manchester代码的负载调制(数据速率26kbps),内部有调整电容,7X...

FM24C64: 64KB非易失性铁电随机存储器 2007-09-27

• FM24C64: 64KB非易失性铁电随机存储器；读写寿命为100亿次；掉电数据保存10年；写数据无延时；总线速度可以达到1MHZ;硬件上可直接替换EEPROM；工作电压为5V；工作电流为150uA；待机电流10uA;工业温度-40°C到+80°C；采用8脚DIP及SOIC封装。

MT29F8G08FABWP:8Gb NAND闪存存储器 2007-09-27

• MT29F8G08FABWP:8Gb NAND闪存存储器,配置为1Gbx8,页的大小为2112B (2048+64B),区快尺寸为64页(128K+4KB),器件的尺寸为8192区块,随机读取时间25us,顺序读为30ns(仅3V x8器件),页编程时间为300us,区块擦除为2ms,数据保存期10年,10万次编程/擦除,工作电压2.7V-3.6V,自动编程和擦除,48引脚TSOP封装,工作温度...

M25P128:128Mb低压串行闪存存储器 2007-09-27

• M25P128:128Mb低压串行闪存存储器, 16Mb x 8结构,64个扇区,每个扇区有1024页,每页256B宽,总容量16777216B(65536页),50MHz高速SPI兼容总线存取,每页(256B)编程时间2.5ms,扇区2Mb擦除和128Mb整体擦除,工作电压2.7V-3.6V,最大时钟速率50MHz, JEDEC标准两字节电子签名,每扇区大于1万次擦除/编程,数据保存期...

M95M01：SPI串口EEPROM存储器 2007-09-26

• M95M01：SPI串口EEPROM存储器；采用128-Kbits x 8存储结构；支持字节和页式写模式；写操作极快；256字节写操作低于5ms（正常情况下低于13微秒/字节）；数据保存能力超过40年；耐擦写能力不低于100万次擦写循环；工作温度范围是-40℃到+85℃；存储器电源电压1.8V到5.5V；采用SO8N和SO8W两种封装。M95M01...