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11 条关于“存取存储器”的信息,用时:0.002 sec.
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DS1249:2048kb非易失性(NV)SRAM,有2,097,152(262144x8位)位全静态非易失性SRAM,每个NV SRAM自有锂离子能量源和控制电路,外电源不存在时数据能保存10年,在电源不存在时数据能自动地保护,无限制的写入次数,读和写的存取时间70ns,和微处理器接口不需要其它的接口电路,JEDEC标准32引脚DIP封装,工作温度-40度...
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AT60142E:很低功耗耐辐射CMOS SRAM,采用6晶体管(6T)存储器单元,容量为4Mb(524288x8位),工作电压3.3V,存取时间20ns,工作时功耗小于790mW,待机时215uW,工作温度-55度到125度C,TTL兼容输入和输出,异步工作,根据MIL-STD-833 Method 1019标准采用总剂量300Krad(Si)进行测试,FP36封装,可用在需要快速计算和低...
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M36P0R9060E0: :512Mb闪存+64Mb PSRAM存储器子系统,工作电压1.7-1.95V,多片封装(MCP),具有电子签名(包括有制造商代码和器件代码),闪存同步/异步读取,同步突发读模式为108MHz或66MHz,随机存取时间93ns,采用缓冲器增强工厂编程命令的字编程时间为4us,多组存储器阵列,每组64Mb,安全性有2112位用户可编程OT...
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M39P0R9070E0: 512Mb闪存+128Mb LPSDRAM存储器子系统,工作电压1.7-1.95V,多片封装(MCP),闪存同步/异步读取,同步突发读模式为108MHz或66MHz,随机存取时间93ns,采用缓冲器增强工厂编程命令的字编程时间为4us,多组存储器阵列,每组64Mb,安全性有2112位用户可编程OTP单元和64位独特的器件号码,一组编程/擦除...
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M36P0R9070E0:512Mb闪存+128Mb PSRAM存储器子系统,工作电压1.7-1.95V,多片封装(MCP),具有电子签名(包括有制造商代码和器件代码),闪存同步/异步读取,同步突发读模式为108MHz或66MHz,随机存取时间93ns,采用缓冲器增强工厂编程命令的字编程时间为4us,多组存储器阵列,每组64Mb,安全性有2112位用户可编程OTP...
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M25P128:128Mb低压串行闪存存储器, 16Mb x 8结构,64个扇区,每个扇区有1024页,每页256B宽,总容量16777216B(65536页),50MHz高速SPI兼容总线存取,每页(256B)编程时间2.5ms,扇区2Mb擦除和128Mb整体擦除,工作电压2.7V-3.6V,最大时钟速率50MHz, JEDEC标准两字节电子签名,每扇区大于1万次擦除/编程,数据保存期...