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4 条关于“半桥SiC模块”的信息,用时:0.003 sec.
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Rohm公司的BSM080D12P2C008是1200V/80A的半桥碳化硅(SiC)功率模块,包括SiC-双扩散MOS (DMOS)和SiC肖特基二极管(SBD).具有低浪涌,低开关损耗,高速可关和降低温度依赖性等特性,漏源极间电压1200V,漏极电流80A,总耗散功率600W,结温最大为175C.主要用在马达驱动如逆变器,转换器,光伏电压和风能产生,以及其电...
- 电源管理SiC功率模块DC/DC转换器RohmBSM080D12P2C008
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Microsemi公司的MSCSICSP6/REF3是新一代SiC MOSFETS和SiC SBD,具有零反向恢复电荷,从而提升系统效率,具有高热导率,是通常硅器件的2.5X,从而降低尺寸和提高工作温度以及功率密度等优势,满足AEC-Q101规范,主要用在工业如马达驱动,焊接,UPS和SMPS,汽车如EV电池充电器,动力总成,智能能源如PV逆变器,风力涡轮...
- SiC MOSFET工业应用智能能源汽车电子