“宽禁带材料实现了较当前硅基技术的飞跃。 它们的大带隙导致较高的介电击穿，从而降低了导通电阻(RSP)。 更高的电子饱和速度支持高频设计和工作，降低的漏电流和更好的导热性有助于高温下的工作。
”宽禁带材料实现了较当前硅基技术的飞跃。 它们的大带隙导致较高的介电击穿，从而降低了导通电阻(RSP)。 更高的电子饱和速度支持高频设计和工作，降低的漏电流和更好的导热性有助于高温下的工作。
安森美半导体提供围绕宽禁带方案的独一无二的生态系统，包含从旨在提高强固性和速度的碳化硅(SiC)二极管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC门极驱动器。 除了硬件以外，我们还提供spice物理模型，帮助设计人员在仿真中实现其应用性能，缩短昂贵的测试周期。
我们的预测性离散建模可以进行系统级仿真，其中可以针对系统级性能指标（例如效率）进行优化，而不局限于优化元器件级性能指标，例如RDS（on）。 此外，设计人员可以放心地模拟数据表中未涵盖的工作条件，例如开关应用的变化温度、总线电压、负载电流和输入门极电阻。
为满足这些需求，模型必须是基于物理规律的、直观的、可预测的，最重要的是精确的。
在IC行业中，追溯到几十年前，采用SPICE模型的支持CAD设计的环境对于IC设计人员准确预测电路性能至关重要。 通过首次正确设计缩短生产周期。 迄今为止，由于缺乏可靠的SPICE模型，电力电子CAD环境远远落后于IC行业。 电力电子器件模型基于简单的子电路和复杂的非物理行为模型。仿真最终不可靠。
图1
简单的子电路过于基础简单，不足以充分利用所有器件性能。 在图1中，我们显示了一个CRSS图，将典型的简单模型（蓝色）与更先进的物理模型（绿色）和测量数据（红色）进行了比较。 显然，您可以看到简单模型无法捕获非线性电容效应，最终导致不准确的动态开关仿真。
众所周知，更准确、更复杂的行为模型会导致收敛问题。 此外，此类模型通常以专有的仿真器行为语言（例如MAST™）编写，因此无法跨多个仿真器平台。
通常，电力电子模型既不是基于工艺技术和布局的，也不具有芯片平面布局的可扩展性。
我们以物理可扩展模型开发了一个适用于整个技术平台的模型。 这就是说，它不是包含经验拟合参数的单个模型的库，最终曲线适合所有产品。只需输入给定产品的芯片平面布局参数，通过芯片扩展，我们就可以使技术迅速发展。
在下一级水平，模型中基于物理学的工艺依赖性使我们能够预测新的虚拟技术变化带来的影响。 显然，早期设计有助于从应用角度带动技术要求，并加快产品上市时间。 一方面，工艺和器件设计工程师使用限定的元器件仿真，也称为TCAD。 另一方面，应用和系统级设计人员使用基于SPICE的仿真环境。 基于工艺参数的spice模型有助于这两方面的融合。
现在，我们介绍一下碳化硅功率MOSFET模型的部分特性。
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