SV模型
SV模型是Simmons和Verderber为了解释Au／SiO2／Al结构的电阻转变行为时提出的一种模型。在Au／SiO2／Al结构中。在强电场的激励过程(electroforming)下，Au电极的离子扩散进SiO2薄膜中，形成电荷传输的杂质深能级陷阱，如图(a)所示。在外加电压的作用下，电子进入局域态并以隧穿的方式穿过局域态到达正电极，此时SiO2薄膜处于低阻态。而在能带弯曲的I区，陷阱能级的差异导致了隧穿难度的加大，因此有少量电子驻留在这里。继续加电压至Vmax,能带弯曲加大，使局域态能带的顶部接近于费米能级，这时局域态内部的电子隧穿通道减少，从而隧穿难度加大，导致电流急剧下降，SiO2薄膜进入到负微分电阻区(NDR)。再增加电压至Vmin,隧穿现象趋于停止，电流降至最低点。若此时迅速撤去外加电压，能带弯曲处陷阱中的电子不能及时释放出来，在声子的作用下，电子逐渐隧穿到Ⅱ区的局域态能带顶部并驻留下来，形成附加电子势垒，阻碍电子进入局域态，如图(b)所示。此时SiO2薄膜进入高阻状态，加一个较小的电压就可以读取储存的信息。从高阻态到低阻态的转变则需要加电压至Vth，局域态能带顶驻留的电子在电场的作用下被释放出来，SiO2材料重新回到低阻态。
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