电化学金属化机制
电化学金属化(electrochemical metallization)机制，简写成ECM模型。这种模型主要是针对固态电解液基RRAM提出的，这类RRAM器件需要特殊的上、下电极材料，通常一端为电化学活性电极(如Ag、Cu和Ni等)，另一端为辅助电极，通常由电化学惰性金属材料(Pt、W和IrO等)构成。该类RRAM的电阻转变现象产生的原因是基于阳离子(Ag+、Cu2+、Ni2+等)的产生(氧化)、迁移和还原过程导致金属性导电细丝在固态电解液中的形成和破灭。基于导电细丝成分的特点，固态电解液基RRAM器件又被称为原子开关器件、电化学金属化器件(electrochemical metallization cell)、可编程金属化器件(programmable metallization cell，PMC)或导电桥随机存储器(conductive bridging RAM，CBRAM)器件。为了方便读者理解，下面将用ECM器件来表示固态电解液基RRAM。
最初被用来作为ECM器件功能层的固态电解液材料主要是一些富Ag或Cu的硫系化合物材料，如Ag2S、CuS、AgGeSe、CuGeSe等。目前这类材料还没有在CMOS工艺中使用，兼容性问题需要考虑。另外，铜离子或银离子在这类材料中的迁移较为容易，导致器件的操作电压较低，器件可靠性容易受到电路噪声的影响。随后，一些氧化物材料如WOx、SiO2、ZrO2、Ta2O5、ZnO和HfO2被发现也可以作为固态电解液材料构成ECM器件。部分氧化物材料已在CMOS工艺中被广泛使用，工艺兼容性好，同时，铜离子或银离子在氧化物中的迁移较为困难，使得器件的操作电压和可靠性都得到了提高。因此，氧化物基ECM器件具有更好的应用前景。附件列表
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