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zhuyongs168 2009-4-14 11:06
该文对几种三相逆变器中常用的IGBT驱动专用集成电路进行了详细的分析，对TLP250、EXB8系列和M579系列进行了深入的讨论，给出了它们的电气特性参数和内部功能方框图，还给出了它们的典型应用电路。讨论了它们的使用要点及注意事项。对每种驱动芯片进行了IGBT的驱动实验，通过有关的波形验证了它们的特点... （来源：下载频道）
keboter 2008-5-2 11:03
HCPL3180:2A输出电流高速IGBT/MOSFET栅极驱动光耦合器, 包括有GaAs LED,最小的蜂值电流2A,最大开关频率250kHz,整个温度范围传输时延最大为200ns,1500V共模抑制为10kV/us,脉宽失真20ns,工作电压10V-20V,工作温度-40度到100度C,可用在等离子显示屏(PDP),分布式电源结构(DPA),开关模式整流器,高性能DC/DC转... （来源：下载频道）
网络资源 2007-9-24 14:58
HCPL- 5150:0.5A IGBT栅极驱动光耦合器,能直接驱动1200V/50A的IGBT,包括耦合到有功率输出级的IC的GaAs LED,军用温度范围-55度到125度C的全保证性能, MILPRF- 38534证书,陶瓷密封封装,和HCPL-3120的功能兼容,0.5V低电平输出电压,Vcm=1000V时的共模抑制比大于10KV/us,最大工作电流为5mA,传输时延小于500n... （来源：下载频道）
网络资源 2007-9-24 14:56
HCPL5120/5121:2A IGBT栅极驱动光耦合器,能直接驱动1200V/100A的IGBT,包括耦合到有功率输出级的IC的GaAs LED,军用温度范围-55度到125度C的全保证性能, MILPRF- 38534证书,陶瓷密封封装,和HCPL-3120的功能兼容,0.5V低电平输出电压,Vcm=1000V时的共模抑制比大于10KV/us,最大工作电流为5mA,传输时延小于50... （来源：下载频道）
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