AT60142E/ET:4Mb很低功耗CMOS SRAM,512kx8结构,工作电压3.3V,存取时间15ns,在15ns时的功耗为810mW,待机时为215uW,输入和输出和TTL电平兼容,工作温度-55度到125度C,能经受100K拉德的辐射量(TM1019.5),ESD保护大于4000V,FP36封装,可用在航空航天电子,手提仪表和飞机电子系统 （来源：下载频道）
网络资源 2007-9-27 10:58
AT60142E:很低功耗耐辐射CMOS SRAM,采用6晶体管(6T)存储器单元,容量为4Mb(524288x8位),工作电压3.3V,存取时间20ns,工作时功耗小于790mW,待机时215uW,工作温度-55度到125度C,TTL兼容输入和输出,异步工作,根据MIL-STD-833 Method 1019标准采用总剂量300Krad(Si)进行测试,FP36封装,可用在需要快速计算和低... （来源：下载频道）
网络资源 2007-9-27 10:57
ATC18RHA:耐辐射550万ASIC门电路, 采用0.18um 六层金属CMOS工艺制造,具有成套的标准逻辑和I/O单元库,总剂量能高达300Krads,锁死效应阈值大于70MeV/cm2/mg,包括了空间应用所有的专用功能和所需的缓冲器,如高速655Mbps LVDS发送器和接收器,PCI缓冲器,SEU硬化DFF和不发热的缓冲器,内核的工作电压1.8V,两个... （来源：下载频道）
网络资源 2007-9-26 13:53
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