据韩国媒体《THEELEC》报导指出，三星电子在23 日举行的在全球半导体产业会议Hotchips 33 上宣布，三星电子将于2022 年底开始量产8 层堆叠的DDR5内存芯片。 据介绍，该8层堆叠的DDR5内存芯片将使用其矽通孔(TSV) 技术，将512GB DDR5 内存模组进一步堆叠起来。而目前该公司已经生产出采用TSV 技术4 层堆... （来源：新闻频道）
三星DDR5芯片 2021-8-27 10:07
在 HotChips 33 大会上，三星确认正在开发具有 8 层 TSV（直通硅通孔）的 DDR5 内存模块，是 DDR4 内存容量的两倍。这意味着理论上，512GB 内存模块是可能实现的。 通过优化封装，三星的 DDR5 内存模块高度将低于 DDR4 4 层内存。由于管芯之间的间隙更小（减少 40%）以及通过实施薄晶圆处理技术... （来源：新闻频道）
三星DDR5 2021-8-23 11:01
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