今日,南芯科技(证券代码:688484)宣布推出全集成同步双向升降压充电芯片 SC8911,该芯片配备 I2C 接口,专为常见的 2 串电池 30W 充电宝应用进行了效率优化,可有效降低外壳温升,为用户提供更安全、更高效的充电体验。SC8911 可支持 OTG 反向升压功能,兼容涓流充电、预充电、恒流充电、恒压充电、... (来源:新品频道)
南芯科技 升降压充电芯片 SC8911 2025-3-24 13:25
问:DAC电源相位噪声传播路径 芯片上的所有电路都必须通过某种方式供电,这就给噪声传播到输出端提供了很多机会。不同电路电源噪声的传播路径也不一样,下面着重指出了几种常见的 DAC 电源噪声传播路径。 如下图,DAC输出端通常由电流源和MOS管组成,MOS管引导电流通过正引脚或负引脚供... (来源:技术文章频道)
DAC电源噪声MOS管 2025-1-23 11:00
关于MOS管驱动电路设计,本文谈一谈如何让MOS管快速开启和关闭。一般认为MOSFET(MOS管)是电压驱动的,不需要驱动电流。然而,在MOS管的G极和S极之间有结电容存在,这个电容会让驱动MOS变的不那么简单。下图的3个电容为MOS管的结电容,电感为电路走线的寄生电感:如果不考虑纹波、EMI和冲击电流等要求... (来源:技术文章频道)
MOS管MOS管驱动电路设计 2024-7-18 10:40
MOS管是一种场效应晶体管(Field-Effect Transistor,FET),其名称源自金属氧化物半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)。MOS管包括两种类型:NMOS(N-Channel MOS)和PMOS(P-Channel MOS)。 NMOS(N-Channel MOS):NMOS管是一种使用N型沟道的场效应晶体管。它由N型沟道、P型基底和控制门构成。当... (来源:技术文章频道)
MOS管NMOSPMOS 2024-5-13 10:26
mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的... (来源:技术文章频道)
MOS管 2024-5-11 09:50
1. N沟道增强型前面已经提及,图3.3.1 中的 MOS 管属于 N 沟道增强型。这种类型的MOS管采用P型衬底,导电沟道是 N 型。在vCS=0时没有导电沟道,开启电压Vcs(u)为正。工作时使用正电源,同时应将衬底接源极或者接到系统的电位上。在图3.3.1给出的符号中,用1DS间断开的线段表示Vcs=0时没有导电... (来源:技术文章频道)
MOS管 2024-2-22 10:20
MOS管具有三个内在的寄生电容:Cgs、Cgd、Cds。这一点在MOS管的规格书中可以体现(规格书常用Ciss、Coss、Crss这三个参数代替)。MOS管之所以存在米勒效应,以及GS之间要并电阻,其源头都在于这三个寄生电容。 MOS管内部寄生电容示意IRF3205寄生电容参数 1.MOS管的米勒效应 MOS管驱动之理想与现实... (来源:技术文章频道)
MOS管 电阻 寄生电容 2023-12-4 10:36
在开关电源应用MOS管的时候,在很多电源设计人员的都将采用一套公式,质量因数(栅极电荷QG ×导通阻抗RDS(ON))。来对mos管来验证。那么栅极电荷和导通阻抗很重要,这都是对电源的效率有直接的影响,主要是传导损耗和开关损耗。 还有在电源中第二重要的是MOS管参数包括输出电容、阈值电压、栅极阻抗和... (来源:技术文章频道)
电源 MOS管 2023-6-21 10:26
01 MOS管种类&结构MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种。至于为什么不使用耗尽型的MOS管,不建议刨根问底。对于这两种增强型MOS管... (来源:技术文章频道)
MOS管MOSFET管 2023-5-25 10:25
学习模拟电子技术基础,和电子技术相关领域的朋友,在学习构建功率放大器电路时最常见的电子元器件就是三极管和场效应管(MOS管)了。那么三极管和MOS管有哪些联系和区别呢?在构建功率放大器电路时我们要怎么选择呢? 首先我们明确一下二者的概念三极管:全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、... (来源:技术文章频道)
功率放大器 放大电路 MOS管 场效应管 电子元器件 2023-5-22 10:31