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闪迪推出 CZB 系列 USB－C 闪存盘：提供 64－256G 可选、读速达 250MB/s，129.9 元起

闪迪推出 CZB 系列 USB－C 闪存盘：提供 64－256G 可选、读速达 250MB/s，129.9 元起

闪迪现已在京东上架 CZB 系列 USB-C 闪存盘，提供 64GB-256GB 可选，读取速度达 250MB/s，定价为 129.9 元起，整理价格如下： • 64GB：129.9 元 • 128GB：199 元 • 256GB：349 元 系列产品使用黑色壳体，配备钥匙环孔，整体重量约 6g，采用... （来源：新品频道）

闪迪CZBUSB-C 闪存盘 2026-7-22 11:00

TrendForce 预测：NAND 闪存紧缺压力有望 2027H2 缓解

TrendForce 预测：NAND 闪存紧缺压力有望 2027H2 缓解

TrendForce（集邦）表示，尽管明年服务器端需求持续强劲，但在上游原厂供应商增产速度未见放缓、消费电子市场依旧低迷的背景下，NAND 闪存供应紧张的情形有望于 2027H2 获得改善。 分析指出，在洁净室空间受限、优先考虑增产 DRAM 的背景下，今年的新产能主要来自制程工艺升级；而到明年，原厂在继续... （来源：新闻频道）

NAND 闪存 2026-7-22 09:09

存储历史性革命！复旦大学发明出“量子闪存”技术，一个电子就是一比特

存储历史性革命！复旦大学发明出“量子闪存”技术，一个电子就是一比特

复旦大学官宣，北京时间今天（7 月 17 日）凌晨，复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室集成电路与微纳电子创新学院周鹏-刘春森研究团队在《科学》（Science）发表重磅成果。 他们发明的“量子闪存”（Quantum Flash）技术，成功构建出共面的漏极-沟道-源极“归壹”结构，首... （来源：新闻频道）

量子闪存复旦大学 2026-7-17 13:24

威刚预警：2026 年 Q3 内存将涨价 20%－30%，闪存将涨价 35%－40%

威刚预警：2026 年 Q3 内存将涨价 20%－30%，闪存将涨价 35%－40%

威刚科技（ADATA）预警，2026 年第三季度 DRAM 内存与 NAND 闪存价格将再度上调，内存及存储产品售价会进一步走高。 AMD、联想、英特尔等科技企业，以及多家行业研究分析师均发出警示：DRAM、NAND 两大存储品类将继续涨价。当前内存市场供给缺口严重，各类存储产品短期内价格已出现大幅上涨。 ... （来源：新闻频道）

威刚内存 2026-7-8 09:06

零刻 EQi 304 迷你主机海外上市：行业首发 Wildcat Lake + UFS 3.1 闪存，双雷电 4 + 双网口

零刻 EQi 304 迷你主机海外上市：行业首发 Wildcat Lake + UFS 3.1 闪存，双雷电 4 + 双网口

零刻（Beelink）面向海外市场推出了其新款迷你主机 ——Beelink EQi 304。这是首款搭载英特尔 Wildcat Lake 处理器的迷你主机产品。 正如其名，它采用了“酷睿 3 304”处理器，拥有 5 核心 5 线程，最大睿频可达 4.3 GHz，自带 24TOPS 本地 AI 算力的 Xe3-LPG 核显。 除... （来源：新品频道）

零刻 EQi 304迷你主机 2026-7-6 13:05

基于 3000 P/E BiCS8 闪存，创见推出新一代工业级 SSD、存储卡

基于 3000 P/E BiCS8 闪存，创见推出新一代工业级 SSD、存储卡

创见 (Transcend) 宣布推出基于 3000 P/E 抹写周期的铠侠-闪迪第八代（218 层）BiCS FLASH 3D 闪存的工业级固态硬盘和存储卡解决方案，全系享有三年有限保固服务。 在 SSD 方面，创见新品提供 M.2 2280 / M.2 2242 /  2.5" SATA 形态，包含类宽温 (-20~+75℃) 和宽温 (-40~+75/85℃) ... （来源：新品频道）

BiCS8 闪存创见 SSD存储卡 2026-6-29 16:05

我国自研全闪存储系统！中科曙光ParaStor F9000斩获IO500双料冠军

我国自研全闪存储系统！中科曙光ParaStor F9000斩获IO500双料冠军

在德国汉堡举办的ISC 2026大会（国际超算大会）发布最新IO500榜单，由我国自主研制的中科曙光ParaStor F9000全闪存储系统在生产型全节点和10节点榜单中实现双榜第一，再次证明国产高端存储性能达到全球领先水平。 IO500是全球高性能算力领域公认权威存储评测榜单，分为研究测试榜与生产运行榜，实测... （来源：新闻频道）

全闪存储中科曙光 2026-6-25 11:47

闪迪新专利：将 NAND 闪存堆叠在计算芯片下方，破解存储瓶颈

闪迪新专利：将 NAND 闪存堆叠在计算芯片下方，破解存储瓶颈

闪迪正在研发更多创新方案以解决存储容量受限问题，例如在芯片内部堆叠 NAND 闪存。 注意到，人工智能行业飞速发展，算力需求同步激增，各类性能瓶颈随之暴露，这倒逼 DRAM 与 NAND 闪存厂商跳出固有思维、探索突破性技术路线。 过去，芯片厂商只需推出全新存储技术就能满足需求，彼时 DRAM ... （来源：新闻频道）

闪迪NAND 2026-6-22 11:03

TrendForce：利基型 NOR、SLC NAND 闪存 2026H1 合约价双双翻倍

TrendForce：利基型 NOR、SLC NAND 闪存 2026H1 合约价双双翻倍

TrendForce（集邦）预测称，NOR、SLC NAND 两大利基型闪存品类的合约价格均将在 2026 上半年出现超过 100% 的涨幅，其中 NOR 涨价 100~120%、SLC NAND 涨价 130-150%。 展望下半年，利基型闪存市场的整体风向仍然保持不变：上游主要原厂在成熟制程端无新增产能，而需求未有收缩态势。机构认为高容量... （来源：新闻频道）

NORSLC NAND 闪存 2026-6-17 09:12

AMD宣布收购MEXT：让闪存变身DRAM以破解数据中心内存墙

AMD宣布收购MEXT：让闪存变身DRAM以破解数据中心内存墙

2026年6月15日，AMD正式宣布收购AI驱动内存优化技术领域的先驱公司MEXT。在AI模型、数据分析和高性能计算工作负载规模持续爆炸式增长的背景下，内存已成为制约数据中心性能与成本的关键瓶颈。此次收购是AMD为解决这一行业难题所投下的一枚关键棋子，旨在通过颠覆性的软件技术，重塑数据中心的成本结构。... （来源：新闻频道）

AMDMEXT闪存DRAM 2026-6-16 10:20

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