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据韩国《首尔经济日报》11日报道，SK海力士重启了中国大连NAND闪存生产基地2号工厂的建设，将产能扩大约50%。大连2号工厂于4年前动工，但受存储器行业低迷影响，工程长期处于停滞状态。SK海力士计划在今年年底前引入半导体生产设备，并于明年上半年正式投产。
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韩媒《首尔经济日报》11 日 报道，SK 海力士将重启停工多时的大连 NAND 闪存二厂建设，把当地整体产能提高约 50%。
大连二厂四年前开工后，因存储芯片市场低迷而长期搁置。SK 海力士计划在今年年底前导入生产设备，并于明年上半年正式投产。
半导体业界消息称，今年上半年起，大连二厂重新获得了 SK 海力士旗下 NAND 子公司 Solidigm 的投资，建设工程也同步恢复。
生产设备最早将于 11 月进场，量产体系将于明年上半年建立。据悉，新生产线每月可投入约 5 万片晶圆，加上大连一厂现有的每月 10 万片，SK 海力士在当地的 NAND 产能将增加约 50%。
搁置四年的大连投资得以重启，与 NAND 市场迅速回暖密切相连。AI 数据中心扩张带动企业级固态硬盘（eSSD）需求激增，NAND 价格一年内上涨近 10 倍。
SK 海力士 2021 年收购英特尔 NAND 业务并成立 Solidigm，同时接手大连一厂及土地，次年 5 月开始建设二厂。但随后存储芯片行业陷入低迷，再加上美国收紧对华半导体设备限制，大连二厂建成主体框架后便长期停工。
大连二厂复工后，SK 海力士将在 NAND 业务上采取双轨布局：大连主攻成熟技术的低层数产品，清州则集中生产先进的高层数产品。大连预计将以采用英特尔成熟浮栅（FG）结构的 100 层级 NAND 为主，提高生产效率；300 层以上产品则主要由清州 M17 等韩国国内基地生产。
SK 海力士此前宣布，将向清州 M17 晶圆厂投资 19.1 万亿韩元（注：现汇率约合 913.93 亿元人民币），计划于 2028 年底启用首座洁净室并生产下一代 NAND 产品。一名业内人士表示：“大连二厂计划采用与一厂相同的设备，每月晶圆投入能力预计为 4 万至 6 万片。”
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