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华润华晶CS1N60A23H
描述
CS1N60A23H,硅N沟道增强型VDMOSFET是通过自对准平面技术获得的这减少了传导损耗,改善了开关性能并增强雪崩能量。晶体管可用于系统的各种电源开关电路小型化和更高的效率。包装形式为SOT-223,符合RoHS标准。
特征
快速切换
低导通电阻(Rdson≤15Ω)
低栅极电荷(典型数据:4nC)
低反向转移电容(典型值:2.6pF)
100%单脉冲雪崩能量测试
应用
适配器和充电器的电源开关电路。 |
代理NXP、IWATT、INFINEON、MPS、ON品牌驱动IC
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