先进FinFET工艺的多项流片巩固了世芯电子的业界领先地位 2022-04-14

• 世芯电子完整体现了其在先进FinFET（先进鳍式场效电晶体）的技术组合并且成功完成在台积电7/6/5纳米的流片。除了先进FinFET的技术组合，世芯的ASIC整体设计解决方案更是涵盖了全方位一流的IP种类和先进封装技术。世芯在7/6/5纳米的ASIC设计上能特别专注于具有数十亿逻辑门数的超大规模/尺寸IC设计。这些...
• FinFET世芯电子

Arasan宣布为格芯12nm FinFET工艺节点提供MIPI D-PHY(SM) IP 2022-03-09

• 面向当今片上系统（SoC）行业的Total IPTM解决方案领先提供商Arasan Chip Systems今天宣布，立即为GlobalFoundries 12nm FinFET制造节点提供其超低功耗的独立MIPI D-PHYSM仅Tx IP和仅Rx IP。利用D-PHY IP作为独立Tx和Rx可节省面积和功耗，特别是在有多个相机接口的片上系统中。 用于GlobalFoundries 1...
• Arasan12nm FinFET

中芯国际：2022 年挑战与机遇并存，FinFet 和 28nm 工艺稳步推进 2022-02-23

• 中芯国际代理董事长高永岗博士表示：“2021 年，是中芯发展历程中极其不平凡的一年。全球范围的缺芯潮和对本土、在地制造的旺盛需求给公司带来难得的机遇，实体清单的限制又给公司的发展设置了众多障碍。公司迎难而上，围绕‘保障生产连续性、满足客户需求、缓解产业链短缺’这一首要任务，精准攻坚克难...
• 28nmFinFET中芯国际

FinFET发明专利有效！中科院微电子与英特尔六次交锋均获胜 2021-09-08

• 在英特尔与中科院微电子所围绕后者持有的“FinFET专利”有效性的第六次交锋中，中科院微电子所再度成功获胜。 早在2018年，中科院微电子所就指控英特尔（中国）有限公司的酷睿（Core）系列处理器侵犯了其名为“半导体器件结构及其制作方法、及半导体鳍制作方法”（专利号为201110240931.5）的FinFET专...
• FinFET