bwin�ͻ��-新系列绝缘栅双极晶体管(IGBT)相关文章-中电网

设为首页网站地图加入收藏

应用开发

VR/无人机| 智能照明| 智能家居| 物联网| 工控自动化| 人工智能| 智能电源| 智能能源| 智能可穿戴| 智能手机| 智能医疗及看护| 通信| 智能交通及汽车

↓在全部中搜索到 152 条关于“新系列绝缘栅双极晶体管(IGBT)”的信息，用时:0.194 sec.

安森美半导体进一步扩展IGBT系列，推出基于第三代超场截止技术的1200 V器件 2016-05-11

瑞萨电子推出第八代G8H系列绝缘栅双极型晶体管的六款新产品 2016-03-21

ST S系列 1200V IGBT绝缘栅双极晶体管 2015-06-26

IR推出1200V Gen8 IGBT系列 2014-11-18

IR宣布扩充节能的600V绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列 2014-05-15

ST的节能功率芯片系列产品可提升能效、安全性和可靠性 2014-04-09

美高森美为工业应用推出了新一代大功率、高性能650V NPT IGBT 2013-08-19

IR推出坚固可靠的全新1200V超高速绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列 2013-06-14

绝缘栅双极晶体管(IGBT) 2010-11-29

IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)是MOS结构双极器件，属于具有功率MOSFET的高速性能与双极的低电阻性能的功率器件。IGBT的应用范围一般都在耐压600V以上、电流10A以上、频率为1kHz以上的区域。多使用在工业用电机、民用小容量电机、变换器（逆变器）、照像机的频闪观测器、感应加热（InductionHea...

--BBS主题帖: Vishay 推出Int-A-Pak 封装的新系列半桥绝缘栅双极型晶体管 2008-03-17

Vishay推出采用业界标准 Int-A-Pak 封装的新系列半桥绝缘栅双极型晶体管 (IGBT)。该系列由八个 600V 及 1200V 器件组成，这些器件采用多种技术，可在标准及超快速度下实现高开关工作频率。

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 下一页 16

关键字搜索分类查看

新闻(27)

新品(42)

技术文章(35)

解决方案(1)

论坛帖子(28)

博客日志(15)

电子百科(4)