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新型功率开关技术和隔离式栅极驱动器不断变化的格局 2022-07-15

基于碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等材料的新型功率开关技术的出现促使性能大幅提升，超越了基于MOSFET和IGBT技术的传统系统。更高的开关频率将减小元件尺寸，从而减小成本、系统尺寸和重量。这些是汽车和能源等市场中的主要优势。新型功率开关还将促使其控制元件发生变化，其中包括栅极驱动器。本文将探讨...
功率开关技术隔离式栅极驱动器

详解PI如何利用组合技术，优化中功率开关电源的设计和成本 2022-03-30

从Si到SiC：如何迈好功率电子技术升级的这一步？ 2022-03-23

GaN系统公司指明汽车大面积GaN功率开关器件的机会 2015-05-25

小功率开关电源中连接到VCC的启动方式分析 2015-04-16

小功率开关电源中连接到VCC的启动方式分析 2014-12-26

智能功率开关电源IC设计 2013-08-13

飞兆功率开关提供更高的效率和系统可靠性 2013-01-16

飞兆半导体推出功率开关(FPS)技术 2011-04-27

安森美扩充功率开关产品阵容推高压MOSFET 2010-02-25

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