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新型功率开关技术和隔离式栅极驱动器不断变化的格局 2022-07-15

基于碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等材料的新型功率开关技术的出现促使性能大幅提升，超越了基于MOSFET和IGBT技术的传统系统。更高的开关频率将减小元件尺寸，从而减小成本、系统尺寸和重量。这些是汽车和能源等市场中的主要优势。新型功率开关还将促使其控制元件发生变化，其中包括栅极驱动器。本文将探讨...
功率开关技术隔离式栅极驱动器

Maxim MAX2270x隔离式栅极驱动器在贸泽开售在电机控制应用中提供超高CMTI 2020-03-20

使用ADuM4136隔离式栅极驱动器和LT3999 DC／DC转换器驱动1200 V SiC电源模块 2019-12-10

隔离式栅极驱动器的重要特性 2019-09-29

TI首款适用于IGBT和SiC MOSFET且集成传感功能的隔离式栅极驱动器，可显著节约能耗，并为高压系统构筑坚强屏障 2019-03-19

ADI推出小型隔离式栅极驱动器 2017-05-23

TI推出业内最快的适用于高压应用的隔离式栅极驱动器 2016-08-03

TI公司为高压应用推出业界最快的隔离式栅极驱动器 2016-07-22

业界首款基于CMOS工艺的隔离式栅极驱动器可直接替换光电耦合驱动器 2013-05-15

TI推出一款面向绝缘栅双极型晶体管(IGBT)与MOSFET的隔离式栅极驱动器 2012-10-10

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