动态无功补偿技术作为FACTS技术的核心,出现最早,发展最快,应用也最广泛。工程应用较多的主要有以下几种：

(1)晶闹管投切电容器TSC

晶闹管投切电容器TSC(Thyristor Switched Capacitor)是将反并联晶闹管与屯容器串联形成的无功补偿装置。TSC的优点是:电容器只有投入(品闹管导通)和切除(晶闹管不导通)两个状态,所以不向系统注入谐波电流。但是与固定电容器相同,其缺点是容量是跳跃的,且响应速度由于需要等待投入时刻,所以最大延时可达半个工频周期。

(2)晶闸管控制电抗器TCR

   晶闸管控制电抗器TCR(Thyristor Controlled Reactor),通过调节晶闸管的导通角度灵活调节电抗器的工作容量。TCR与晶闸管投切电容器(TSC)配合构成的SVC可以根据负荷无功功率的变化进行动态补偿,实现系统无功动态平衡,稳定系统电压,抑制电压波动及闪变。TCR自身的响应速度快,在快速动态无功补偿领域中得到了广泛应用。

(3)晶闸管控制变压器TCT

晶闸管控制变压器TCT(Thyristor Controlled Transformer)具有与普通变压器相同的结构。晶闸管不导通时,TCT相当于空载的变压器,一次绕组流过很小的励磁电流;而当晶闸管被触发导通时,通过控制晶闸管的导通组数就可实现TCT无功容量的分级调节。TCT型可控电抗器响应速度非常快,晶闹管所承受的电压较低,便于应用在特高压系统中。

(4)磁控电抗器动态无功补偿装置(MSVC)

    磁控电抗器简称MCR(Magnetic Control Reactor),是一种通过调节直流控制电压工作容量可以连续调节的电抗器,通过控制绕组上施加的直流激磁作用来改变铁芯的磁饱和度,进而实现电抗器输出无功功率的连续平滑调节。磁控电抗器根据绕组和铁芯具体结构形式的不同还有不同的名称。磁控电抗器的额定容量范围较宽,并且可以应用于直到1150kV电压等级的电网中作为连续可调的动态无功补偿装置。

(5)静止无功发生器SVG

    静止无功功率发生器SVG(Static Var Generator)是由全控型电力电子器件(IGBT或GTO)构成的能够发出和吸收无功功率的动态无功补偿装置,它的主电路部分主要由直流储能电容器和桥式变流器构成。它是一种比基于TCR的SVC更先进的动态无功补偿装置,它的核心部分为一个桥式逆变器,而不像SVC那样需要通过投切大容量的电力电容器和调节电抗器来实现动态无功补偿。因此,SVG动态无功补偿器性能最好,但由于电力电子器件水平的限制,目前SVG在高电压大容量场所应用还存在一定限制,只适合应用在对动态性能要求较高的低压系统中。

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