关于DDR3的读写操作，看看我的错误在哪 不胜感激, 程序, 开发, 型号

最近简单调了一下KC705开发板上面的DDR3，型号是MT8JTF12864HZ-1G6；有时候加载程序后，发现读出数据不是写进去的，在这将我的操作思路说下，有弄过的说说哪块有问题，不胜感激：
1.ip核的sys_clk_i给400M时钟，clk_ref_i给200M时钟；app_wdf_mask全为0；app_sr_req,app_ref_req,app_zq_req接pull_down，app_en<=0，app_cmd=0，app_wdf_wren<=0， app_wdf_end  <= 0 ，app_addr <= 0,app_wdf_data<=0，步骤2;
2.等初始化完成后(即init_calib_complete为高电平)1.5s，对ddr3写操作，在app_wdf_rdy为高，且app_rdy为低电平时，使能app_en，且app_cmd=0，步骤3；
3.判断：
a,若(app_rdy == 1) && (app_wdf_rdy == 1) ，则app_wdf_wren<=1， app_wdf_end  <= 1 ，app_wdf_data<=写数据，app_addr
< =初始地址，步骤4。

b,若(app_rdy == 0) && (app_wdf_rdy == 1) ，则app_wdf_wren<=0， app_wdf_end  <= 0 ；等待app_rdy == 1。
c,若 (app_wdf_rdy == 0) ,返回2。
4.判断：
a,若(app_wdf_rdy == 1)，则app_wdf_wren<=0， app_wdf_end  <= 0 ，app_addr
< = app_addr + 8 ;步骤3；
b,( app_addr == ADDRESS ),ADDRESS为设定的最大地址值；app_en<=0，app_wdf_wren<=0， app_wdf_end  <= 0 ，app_addr <= 0,步骤5；
c,若 (app_wdf_rdy == 0) ,返回2。
5.空闲40周期，步骤6；
6.读操作，判断：
a,若（app_addr == ADDRESS），读结束，步骤7；
b,若( app_rdy == 1)，app_en   <= 1 ;app_cmd
< = 3'd1，app_addr
< = app_addr + 4 ;步骤6；
c,否则，步骤6；
7.空闲1024周期，步骤3。


但是有时候读的数据不是写进去的数据。
写操作：

从上到下为：app_cmd,app_en,app_rdy,app_wdf_wren(app_wdf_end与app_wdf_wren相同 )，app_wdf_data，app_rd_data_valid,app_rd_data;最面面为init_calib_complete（一直为高电平）。
正确读：

错误读：

file:///C:\Users\Administrator\AppData\Roaming\Tencent\Users\214325312\QQ\WinTemp\RichOle\D_`PKM8VIL~]FP@DVY3JMS5.jpgfile:///C:\Users\Administrator\AppData\Roaming\Tencent\Users\214325312\QQ\WinTemp\RichOle\D_`PKM8VIL~]FP@DVY3JMS5.jpg