Vishay的新款VRPower® DrMOS尺寸更小且更高效 宾夕法尼亚, 新款, 2014, 新品

宾夕法尼亚、MALVERN — 2014 年 9 月9 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用小尺寸、散热增强型PowerPAK® MLP 5mm x 5mm的31pin封装的VRPower®集成DrMOS新品---SiC620。Vishay Siliconix SiC620输出电流超过60A，尺寸比前一代6mm x 6mm尺寸小30%，但效率更高出3%，最高可达95%。这些器件封装的寄生参数比离散方案小，使开关频率可以达到1.5MHz，能有效提高功率密度，降低总体方案成本。

    该器件包含的高端和低边TrenchFET® Gen IV N沟道低导通阻抗的MOSFET，先进的MOSFET驱动IC，以及自举的肖特基势垒二极管，全部集成在小尺寸25mm2面积内。SiC620的驱动IC兼容各种PWM控制器，支持5V和3.3V的三态PWM逻辑。
    SiC620家族完全符合DrMOS 4.0标准，针对笔记本电脑、服务器、游戏机、图形卡、交换机和存储系统，以及其他采用CPU的高功率系统中的高功率、多相降压稳压器，以及大电流的非隔离负载点模块。Buck变换器在12V输入时是最优的，输入电压可以从4.5V到16V的范围，PWM传输延迟小于20ns。器件具有优异的散热性能，工作温度比前一代方案的温度低50℃以上。
    器件的驱动IC集成了零电流检测电路，可以改善轻负载条件下的效率，且自适应式死区时间控制有助于进一步提高所有负载点下的效率。保护功能包括欠压锁定(UVLO)、击穿保护和过热警告以便在结温过高时向系统发出告警。

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