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EML激光器温控电路设计(1)

EML激光器温控电路设计(1)

 引言  在光通信领域中,用于高速、长距离通信的电吸收调制激光器(Electlro-absorption Modulated Laser,EML)对温度稳定性的要求很高,并朝着小型化和高密度化方向发展。EML激光器是第一种大量生产的铟镓砷磷(InGaAsP)光电集成器件。它是在同一半导体芯片上集成激光器光源和电吸收外调制器,具有驱动电压低、功耗低、调制带宽高、体积小,结构紧凑等优点,比传统DFB激光器更适合于高速率、长距离的传输。
  EML激光器的输出波长、电流阈值、最大输出功率和最小功率的波动都直接受工作温度的影响。同时,光源的啁啾声受限于光通道的最大允许色散,虽然光纤放大器可延长信号传输距离,但色散值随传输距离的线性累积与光纤放大器无关,因此只能对光源的啁啾提出很苛刻的要求。使用直接调制激光器远远满足不了系统对光源性能的要求,就目前技术而言,最简单的方法是使用带温度控制的电吸收激光源。
  本设计方案采用体积小且易于控制的热电制冷器(ThermoElectric Cooler,TEC)作为制冷和加热器件,并采用高精度的负温度系数热敏电阻(NTC)作为温度传感器,以MCU为控制核心,对EML激光器进行精密温度控制。EML的内部结构框图如图1所示。虚线框内,上面的二极管负责监控激光器和控制开关,下面的二极管控制背光电流。

  

  1 基于TPS63000的TEC控制电路设计
  1.1 TEC的原理分析
  TEC制冷器又称半导体制冷器。电荷载体在导体中运动形成电流,当直流通过两种不同的导体材料,接触端上将产生吸热或放热现象,称为帕尔贴效应。TEC热电制冷器正是利用了帕尔贴效应实现制冷或制热,具有无噪声、无磨损、无污染、制冷(热)速度快、可靠性高、体积小、控制调节方便等特点。
  目前,大多数EML激光器内部都集成有TEC和热敏电阻,但其控制电路需采用专用芯片或自行设计,否则激光器不能正常工作。常用的TEC控制电路包括2个PWM降压变换器、4个开关(S1~S4)、2个二极管(D1和D2)、2个滤波电感(L1和L2)、2个电容(C1和C2)。TEC与电容C1并联分别接PWMl和PWM2降压变换器,PWMl和PWM2产生的输出直流电压为V1、V2。提供给TEC的电流ITBC=(V1-V2)/RTRC,RTEC为TEC两电极间的阻抗。这种控制电路典型应用于Maxim公司的MAX8521、MAXl968以及Linear公司的LTC1923芯片中,主要存在以下的缺点:
  ①EMI较大。控制电路中的两个滤波电感会对周围产生电磁干扰,且滤波电感的回路阻抗易发生突变而导致产生尖锐的脉冲。
  ②外围电路器件数量庞大。温度的反馈信号以及其参数设置均采用模拟电路,从而使应用的成本和复杂性增加,TEC工作参数的设置不灵活。
  ③TEC的温控精度不高。由于采用的是模拟的控制方式,外接误差积分的运算放大器以及数/模转换器的量化误差都在一定程度上限制了TEC的控制精度。
  ④模式切换较复杂。控制电路在双PWM降压变换器驱动模式下采取模拟的控制方式,没有运行模式选择功能。
  1.2 硬件电路结构设计
  本文设计了一种基于TPS63000的TEC控制电路,采用数字式PID控制,具有温控精度高、外围电路简单、执行部件的转换效率高等优点。
  TI公司的TPS63000是一款升降压电源管理芯片,DC/DC转换器可在1.8~5.5 V的宽电压范围内实现高达96%的效率。该芯片在降压和升压模式之间可自动转换,同时支持电流流入模式。在降压模式下电压为3.3 V输出时,输出电流最大可达1200 mA;在升压模式下电压为3.3 V或5 V输出时,输出电流最大可达800 mA。
  根据CyOptics公司的10 Gb/s Cooled EML的使用手册可知,激光器的可操作温度范围在-40~90℃,TEC热电制冷器的电流ITEC为-1.5~1.5 A,VTEC为-3.3~3.3 V,热敏电阻的电流ITHC不得超过100μA,中心波长的范围为1530~1565 nm,且温度每变化1℃波长偏移不得超过0.13 nm。
  结合激光器的具体指标,要做到对TEC温度的精确控制,可分为以下3步:
  ①热敏电阻实时监控温度;
  ②TEC上电流方向实现制冷和加热;
  ③PID控制准确、快速、稳定地控制TEC电流。
  TEC控制系统是一个典型的闭环反馈控制系统,其结构如图2所示。

  

  EML内部集成的高灵敏度NTlC热敏电阻,温度特性波动小、对各种温度变化响应快,材料一般为薄膜铂电阻。电阻的阻值与温度的关系是非线性的,可用公式表示为:
  R=RTO×EXP{B(1/T-1/TO)}
  其中,T0为温度的初始值,B为热敏指数。
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