一种基于动态阈值NMOS的1.2V CMOS模拟乘法器 集成电路, 电子产品, 动态, 电源, 技术

关键字：模拟乘法器   Hspice   仿真  
随着便携式电子产品的不断发展，以及各国对节能的严格要求，低功耗集成电路及电子系统已经成为技术发展的方向之一，而低电源电压是实现低功耗最直接有效的方法，其中CMOS模拟集成电路的低压低功耗设计是实现低压低功耗集成电路的难点。模拟乘法器作为模拟电路中最基本的电路之一，在自适应滤波器、频率倍增器、各种调制解调器等电子系统中具有广泛的应用。传统的模拟乘法器—般采用Gilbert结构实现，由于电源到地的通路上至少有3～4个晶体管，没有办法实现低压低功耗，必须采用新的电路结构实现。
采用动态阈值NMOS晶体管作为两路输入信号的输入晶体管，节省了输入晶体管和偏置晶体管的数目，实现了低压低功耗的目的。文中首先对动态阈值NMOS晶体管的特性进行了系统分析，包括跨导、频率特性等，再提出了一种基于动态阈值NMOS晶体管的1．2 V CMOS模拟乘法器，并进行了性能分析，采用Hspice进行了各种参数的仿真，对仿真结果进行了比较分析和讨论。

1 动态阈值NMOS晶体管

本文所提出的动态阈值NMOS晶体管的工艺基础是传统标准双阱CMOS工艺或P阱CMOS工艺，其特点是两个输入信号同时加到NMOS的栅极(G)和衬底(B)端，即输入电压为VGS和VBS，不需要引入特殊的工艺步骤。当NMOS的VBS=0时，就是常用的准恒定阈值电压增强型NMOS晶体管，如果VGS和VBS同时在变化，而VBS的变化直接会影响VTH(N)变化。式(1)是当VGS一定时，NMOS阈值电压VTH(N)与VBS的关系，表明当VBS增大时，VTH(N)会随之减小，所以动态阈值是实现CMOS模拟电路低压化的理想技术之一。






其中，VTH0(N)是VBS=0时的NMOS阈值电压，φF为表面电动势，γ为体效应因子。

当动态阈值NMOS晶体管满足VDS≥VGS-VTH(N)时，即晶体管工作在饱和区，IDS与VGS、VBS之间的关系如式(2)所示。






基于CSMC 0．6 μm DPDM CMOS工艺的BSIM3V3 Spice模型，采用Hspice进行仿真，以验证动态阈值NMOS晶体管的V-I特性。图1为不同VBS条件下的VDS～IDS关系曲线VGS=1．2 V，自下而上5条曲线所对应的VBS分别为0 V、0．3 V、0．6 V、0．9 V和1．2 V，表明在相同VDS条件下IDS随着VBS的不断增大而增大。图2为不同VGS条件下的VBS～IDS关系曲线VDS=1．2 V，自下而上7条曲线所对应的VGS分别为0 V、0．2 V、0．4 V、0．6 V、0．8 V、1．0 V和1．2 V，其中VGS为0 V、0．2 V、0．4 V的3条曲线由于IDS数值太小，已与横坐标几乎重合，图2表明在相同VBS条件下IDS随着VGS的不断增大而增大。











将式(2)分别对VBS和VGS求偏导，即可以得到






由于体效应因子γ的值较小，所以gmbs<gm，但vbs的增加，则可以增加gmbs。</gm，但vbs的增加，则可以增加gmbs。
当VBS=VGS时，也就是NMOS晶体管的栅极和衬底端短接在一起，同时作为同一个信号的输入端，此时对VBS求偏导，即可以得到






所以动态阈值NMOS晶体管的跨导是随着VBS和VGS的变化而变化的，数值要gmbs。

当动态阈值NMOS的VGS固定时，则可以看作衬底驱动NMOS，其特征频率为






其中，η=gmbs／gm，VBS=0时的典型值为0．2～0．4，Cb,是P阱与源端间的电容，而Cbsub是P阱与N衬底间的电容。在3 μm CMOS工艺下，当衬底驱动MOSFET工作于饱和区时，式(5)可近似为






随着CMOS工艺的发展，如果Gox增加S倍，而Cbsub只增加了S1/2倍，阱和衬底的掺杂浓度提高了S倍，则式(6)变为






在标准深亚微米CMOS工艺中，衬底驱动NMOS的截止频率也不会比栅驱动NMOS的截止频率小很多，而动态阈值NMOS的截止频率则在衬底驱动NMOS的截止频率和栅驱动NMOS的截止频率之间，所以动态阈值NMOS不会牺牲太多的频率特性。

栅驱动NMOS与动态阈值NMOS的沟道噪声电流相似，如果把沟道噪声电流归因于输入，则动态阈值和栅驱动下的增益因子有所不同。同时，动态阈值NMOS的阱电阻也会造成额外的热噪声。动态阈值NMOS的均方根噪声电压为






其中，N为交叉NMOS结构中栅的个数；Rgi为第i个栅沟道的有效串联阱电阻；Rgi为第i个栅的栅与金属间电阻。

式(8)中前两项为动态阈值NMOS由衬底端引起的白噪声和闪烁噪声，后两项描述了由阱与金属间、栅与金属间电阻所引起的白噪声。由于后两项有N-2系数，因此可以利用交叉CMOS结构即一个MOSFET采用多个栅来降低栅电阻所产生的噪声影响。为将衬底端所引起的噪声最小化，动态阈值NMOS的版图应该多用阱接触，而且接触应该尽量接近每个栅，以最小化衬底端电阻的噪声影响。