飞兆半导体智能型栅极驱动器光电耦合器可简化设计提高可靠性 半导体, 驱动器, 可靠性

于目前的高功耗工业应用，设计人员传统上对IGBT驱动器使用分立器件，导致整体设计复杂性和系统成本大大提高。 为了帮助设计人员克服这一缺点，飞兆半导体推出了具有有源米勒箝位功能的FOD8318智能栅极驱动光电耦合器。 该器件是一个先进2.5A的输出电流IGBT驱动光电耦合器，可驱动大部分1200V/150A IGBT。

FOD8318它包含采用低RDS(ON) CMOS晶体管以进行IGBT轨到轨驱动的集成式栅极驱动光电耦合器，以及用于故障检测的集成式高速隔离反馈。 它提供有源米勒箝位功能，可在高dv/dt状态期间关断IGBT，而无需负电源电压。 这样可以简化设计，提高可靠性。 此外，FOD8318还提供防止出现故障状态所需的关键保护功能，这些状态会导致IGBT的破坏性热失控。

此器件特别适合驱动快速开关功率IGBT和MOSFET，适用于电机驱动器、工业转换器、太阳能电源反相器、不间断电源 (UPS)、 感应加热和隔离式IGBT驱动器等应用。

飞兆智能型栅极驱动器光电耦合器可简化设计

主要功能：
有源米勒箝位功能可消除负电源电压
内置 IGBT 保护功能
去饱和检测
IGBT软断开
针对IGBT进行优化的欠压闭锁(UVLO)
CMR专有的高抗噪性能： 35kV/μsec @Vcm-1500Vpeak
3.3V/5V，CMOS/TTL逻辑输入
轨至轨宽幅输出电压范围，以实现低功耗

安全和法规认证
UL1577，4,243VRMS 持续1分钟。
DIN-EN/IEC60747-5-5，1,414V峰值工作电压，8,000V峰值瞬态额定隔离

电压
FOD8318是飞兆全面的高性能光耦合器、 电源管理IC、高电压栅极驱动器、分立功率IGBT/MOSFET产品组合的一部分，通过此类解决方案，客户能够实施设计创新。 FOD8318采用专有 Optoplanar共面封装技术，具有高抗扰度。 Optoplanar技术确保了0.4毫米以上的安全隔离厚度、8毫米爬电和间隙距离，从而获得了通过UL1577和DIN EN/IEC60747-5-5标准认证的可靠高压隔离。