选定了电压参考为2．5 V，那么就可断定，电压阈值的范围就应在0～2．5 V，那么VO的输出也应控制在2．5 V以内，因此本设计将RL选定为34．8 KΩ。控制DAC8554的单片机选用飞思卡尔的MC9S12DT128，接口电路如图4所示。
MC9S12DT128的PH口的PH1-PH3口用做SPI功能。
4 电压比较与MoS管控制
电压比较部分本设计选用了TI公司的LM293，电压比较电路与MOS管控制电路如图5所示。
图中比较器同向输人端连接INA168输出的电流采样电压VO；反向输入端连接DAC8554输出的配置好的阈值电压VAOUT。
若VOVAOUT，电流采样电压超出阈值范围，比较器输出为+5 V，经过反向施密特触发器，输出低电平，光耦导通，PNP三极管关断，MOS管也处于关断状态。由此实现了过流保护的目的。而VAOUT是由DAC8554输出，可自由调控，也就实现了可配置过流阈值的目的。
5 自锁电路
回路过流后，MOS管自动关断，回路瞬间处于无电流状态，INA168采集到的信号为无电流状态，MOS管在关断后会跳变回导通状态，因此本设计需要一个自锁电路，在保证MOSFET关断后不会重新打开。
实现方法如图6所示。
图中，用一个开关J2代替了MOSFET来做仿真，J1为一个自锁电路的开关，J1闭合，即J1电平为低时，自锁电路工作。比较器LM293输出的为高电平时，闭合J1，即置J1为低电平，自锁电路开始工作，J2一旦断开，即比较器输出为低电平，只要一直保持闭合状态，即使J2闭合，比较器输出也为低，这样就能保证过流的回路切断后，在没有电流的状态也能保证NOSFET一直处于关断的状态。
电路自锁后，可通过J1来接触自锁，将J1断开，即置J1为高电平，可接触自锁。在回路有电流通过时闭合J1，即置J1低电平，电路将处于初始化状态。这里，J1可用一路DO信号代替，程控自锁电路的开关。 |
